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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A有的是款家用suv轎車型GaAs MMIC I/Q下變頻器，用到無引腳RoHS兼容型SMT二極管封裝。 該元器保證13 dB小手機信號轉換成增加收益，有25 dBc邊帶控制。 HMC6147ALC5A用到低噪音源變大器來win7win7驅動I/Q混頻器，LO由X2倍頻器win7win7驅動。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A是一種款緊湊suv型GaAs MMIC I/Q下定頻器，利用非常符合RoHS標淮的12引腳、陶瓷圖片無鉛基帶芯片承載(LCC)二極管封裝。該元器件具備14 dB的小數據信號準換增益控制和25 dBc的鏡像文件可抑制性能參數。HMC6789BLC5A利用低低頻噪音縮放器能夠I/Q混頻器，表中LO由x2乘法器能夠

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E是款狹窄型GaAs MMICiso鏡象控制低燥音調頻器，選擇達到RoHS標準規定的無鉛SMT封裝形式。 該器材出具13 dB的小衛星信號變為增加收益，17 dBc的iso鏡象控制和-2 dBm進入IP3。 HMC1065LP4E根據RF LNA和由有源X2倍頻器驅動軟件的I/Q混頻器做工作。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E有的是款密集型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，主要主要包括無鉛5 x 5 mm低扯力注塑工藝PVC表貼打包封裝。 該元器件封裝供給12 dB的小電磁波轉化成增加收益、1.8 dB的的噪音常數和25 dBc的系統映射控制效果。 HMC1113LP5E主要主要包括LNA，后接由LO降低器變大器驅動安裝的系統映射控制混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B是一種款省油的suv型GaAs MMIC I/Q下定頻器，通過滿足RoHS規定的無引腳SMT裝封。 該電子元件在一整個頻段規模內供給13 dB的小數據信息轉變成增加收益、2 dB的噪聲源彈性系數和24 dB的iso鏡象遏制性效能。 HMC951B通過LNA，后接由LO響應器拖動器驅動下載的iso鏡象遏制性混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108就是款寬敞型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單處理器微波通信融合電線(MMIC)同相正交(I/Q)低噪音污染切換器，采取合乎RoHS標淮的瓷質無鉛處理器的載體打包封裝。HMC8108將規模為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)錄入手機網絡信號切換為輸送web端60 MHz典型性單端中頻(IF)手機網絡信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE是款省油的suv型I/Q MMIC混頻器，主要按照“無鉛”SMT封裝類型，用于作鏡像文件可以抑制混頻器或單側帶電池交流三菱變頻器。 該混頻器主要按照兩只要求Hittite雙穩定混頻器第一單元和一款180度混后器材，均主要按照GaAs Schottky電子元器件大家庭中的一員-二極管的工藝加工制造。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E就是款省油的suv型I/Q MMIC混頻器，主要按照“無鉛”SMT打包封裝，能夠用作系統鏡像控制混頻器或單向攜帶定頻器。 該混頻器主要按照幾個的標準Hittite雙平衡量混頻器機組和有一個九十度混雜功率器件，均主要按照GaAs Schottky電子元器件大家庭中的一員-二極管加工工藝產生。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 改變在Qorvo的氮化鎵技能的基礎的基礎上，該技能可改變更高一些的錯誤率，可以信賴性，耗油率和可我的世界生存性，并可減少尺寸圖，重和資金。每種FEM將要素的T / R控制器特點集成型到一種緊密的封裝形式中：T / R控制開關，耗油率變大器和低躁音變大器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A是一種款砷化鎵(GaAs)單處理處理器紅外光智能家居控制電路設計(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，進行符合條件RoHS條件的24引腳、陶瓷廠家無鉛處理處理器形式(LCC)封口。該配件可以使用作鏡像文件調節混頻器或單側帶有交流變頻。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191就是一款無源上行速率I/Q單集合塊微波微波射頻集合控制電路(MMIC)混頻器，該用作收器鏡像軟件抑制性混頻器或試射器一側帶直流變頻空調器。HMC8191具有著6 GHz至26.5 GHz的微波射頻(RF)和本振(LO)空間還有DC至5 GHz的中頻(IF)上行速率，十分的適合需寬速度空間

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B不是款緊奏型型GaAs MMIC I/Q混頻器，進行完全符合RoHS標的無引腳SMT陶瓷制品封口。 該元件能作作系統鏡像控制混頻器或單向帶進調頻器。 該混頻器進行好幾個標雙平衡量混頻器象限和有一個九十度混和元件，均進行GaAs MESFET加工制造出。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4是一種款高的動態比率GaAs PHEMT MMIC中高工率變小器，使用無引腳“無鉛”SMT封裝。 該變小器具有著17至24 GHz的工作上比率，提高22 dB收獲、+26 dBm飽滿工率和23% PAE（+5V開關電源端電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4就是款實用GaAs PHEMT MMIC動力調大器，選用適合RoHS標準的的無引腳SMT芯片封裝。 該調大器選用+5V單電源開關，增加收益為15 dB，飽和點耗油率為+18 dBm。 在全部工作的頻帶寬度內極具不一的增加收益和輸入輸出耗油率

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4是一種款GaAs PHEMT MMIC驅動安裝調小器，用無鉛4x4 mm表貼瓷磚封裝，事情幀率比率為5.5至17 GHz。 該調小器可以提供達30 dB的增益控制、+30 dBm打印輸送IP3及+23 dBm的打印輸送工作電壓

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4有的是款GaAs PHEMT MMIC驅動下載擴大器，按照無鉛4x4 mm陶瓷制品表貼裝封，工作中工作頻率的范圍為5至20 GHz。 該擴大器保證將高達21 dB的增加收益、+29 dBm模擬讀取IP3及+22 dBm的模擬讀取工率（1 dB增加收益縮小時），功能損耗為180 mA（+5V電）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498是一個款高動向的范圍圖GaAs PHEMT MMIC功效增加器，辦公規律的范圍圖為17至24 GHz。 HMC498展示24 dB收獲，呈現飽和狀態功效為+27 dBm，電源線輸出功率為+5V (25% PAE)。 鑒于厚度較小，HMC498增加器可輕輕松松結合到多心片功能模塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596也是款二級GaAs HEMT MMIC高的英語電輸出變小器，運轉頻繁 依據為16至33 GHz。 HMC-APH596展示17 dB增加收益，通過+5V供電線電壓時有+24 dBm導出電輸出（1 dB進行壓縮）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專門對于規劃使用在以面積最小的直流電壓電率推動高OIP3。超平滑性能指標已在150MHz至3GHz的規格頻段中得見證明材料。RFGA2012具有著VBIAS引腳，容許用戶名對于某些耍求系統優化空態直流電壓。VBIAS引腳也適用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024一款性能比較高方面InGaP HBT MMIC拖動器。RFGA0024的室內有源偏置電線支持拖動器會從5V電崗位，并出示安全的瞬時電流隨平均溫度的轉化并罰理Beta的轉化。這類達林頓拖動器的室內適配電阻值為50歐姆，非常的適用要求小盡寸和最低間接開關元件的利用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014也是款高耐磨性InGaP HBT MMIC調小器。RFGA0014的內控有源偏置電路設計禁止調小器單獨從5V供電運轉，并提供了比較穩定的電流量隨溫度因素變現處以理Beta變現。這個達林頓調小器的內控配比功率電阻為50歐姆，更加適須得小圖片尺寸和最小第三方pcb板的應用領域。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為之后或動力器級APP裝修方案的曲線公率圖像傳輸放大器IC。該傳輸器件選用中含上面跨接的無引線IC芯片質粒。RF5633裝修方案使用在非常廣泛的平均溫度和公率傳輸的范圍內始終維持曲線。外界適配為多種頻段的傳輸公率帶來了能調性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為一般工作效率應用領域設計的曲線工作效率擴大器IC。該電子元件所采用先進典型的InGaP異質結雙極硫化鋅管（HBT）加工工藝生產，設計看做802.16e發送器的終究微波射頻擴大器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827也是款互通，低總成本，高線形度的RF變成器IC。該元件適用砷化鎵工序加工，適用3mm x 3mm，16引腳QFN芯片封裝。它極其適宜當做線形/工作噪音小污染變成器，里面OIP3乘以38dBm，燥聲污染常數乘以1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315是款有質量率砷化鎵異質結雙極結晶體管（HBT）放小器，使用低生產成本接觸面貼裝封裝形式。該放小器十分支持于要求200MHz至3GHz概率范疇內的高線形度和低的噪音公式的廣泛應用。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223是一種款使用于節省成本投入單單從表面貼裝裝封的極有效率GaAs異質結雙極單晶體管（HBT）拖動器。該拖動器極其適于于可以500MHz至3GHz規律區域內的高線性網絡度和低環境噪聲常數的app。RF3223使用于單5V電壓供氣，使用于區域經濟的3mm x 3mm QFN裝封。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220有的是款有速度砷化鎵異質結雙極結晶管（HBT）增加器，分為低直接費用外層貼裝打包封裝形式。該增加器很主要主要包括作可以500MHz至3GHz頻率領域內的高平滑度和低噪音污染彈性系數的適用。RF3220分為單5V輸電輸電，分為條件的3mm x 3mm QFN打包封裝形式。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是專門針對3V手握式系統的高耗油率科學規范率平滑變小器IC。該元器件選取高級的砷化鎵異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）技術制造出，構思用在雙機制3V CDMA / AMPS手握式數字9蜂窩生產設備擴頻系統和各種應用中的之后RF變小器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000有的是款一體化式限幅器/ LNA，可在2-20GHz頻段區域內供應穩盈，高功效。QPM1000在收獲操控下供應17 dB的小數據信息收獲，在整體的頻段區域內兼有1.7 - 4 dB的噪音比率，> 18 dBm P1dB。不僅而且，一體化限幅器供應可以達到4 W的入射工作功率的穩盈性技術水平，而不是降功效。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM創立于1999年15月，由一群人在紅外光射頻電路原理裝修設定制作和紅外光射頻器材制造出技術工藝幾個方面體驗豐富多樣的紅外光射頻裝修設定制作師形成。它坐落于美馬里甘肅蓋瑟斯堡，距華盛頓東南約20英里。該平臺用于專業的紅外光射頻裝修設定制作機構具備盛譽，該機構包涵電機熱效率FET，MMIC電機熱效率變成器和帶RF和DC聯接器的高電機熱效率變成器控制傳感器，這一些控制傳感器已安排功能強大于紅外光射頻整體。