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MAPS-010145航空航天GaAs pHEMT 4位數字移相器

2018-09-11 14:03:14 MAPS-010145是一個款GaAs pHEMT 4十位數字移相器，集成式CMOS能夠器，進行4 mm PQFN泡沫塑料單單從表面貼裝二極管封裝。步長為22.5°，提拱從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設定路過優化網絡，可上限底限地減輕相移面積內衰減的變幻。

MAPS-010144相控陣雷達GaAs pHEMT 4位數字移相器

2018-09-11 13:58:37 MAPS-010144就是一款GaAs pHEMT 4四位數字移相器，集成系統CMOS能夠器，所采用4 mm PQFN塑表面能貼裝封裝形式。步長為22.5°，展示 從0°到360°的相移，步長為22.5°。該設汁 優化方案，可比較大局限性地縮減相移比率內衰減的變遷。

低直流電耗4位數字移相器MAPS-010143

2018-09-11 13:50:44 MAPS-010143有的是款GaAs pHEMT 4四位數字移相器，分為4 mm PQFN朔膠表層貼裝打包封裝，集成化CMOS驅動下載器。步長為22.5°，提供數據從0°到360°的相移，步長為22.5°。該來設計所經SEO優化，可上限裝量地增多相移範圍內衰減的變動。

DS856-高速3GHz直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:44:09 DS856有的是種極速同時大數字結合器（DDS），幀率調諧判斷比率32位，ROM相位判斷比率13位，DAC波動判斷比率11位。獨一奈奎斯特帶中的正弦函數波就可以生產到比較敏感1.6 GHz（在3.2-GHz石英鐘時延）。

DS852——高速2.2 GHz直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:37:52 DS852是種穩定真接號碼結合器（DDS），強度調諧辨別好壞比率32位，震幅辨別好壞比率11位。一奈奎斯特帶中的正弦交流電波都能夠引起到類似1.1 GHz（在2.2-GHz鐘表強度）。默認值時段.都能夠解鎖為零度以下展開。該處理器下有對相容輸入50Ω后面。

DS707——高速啁啾直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:30:12 DS877有的是種髙速就直接羅馬數字鑲嵌器（DDS），速度調諧辯認比率32位，ROM相位辯認比率13位，DAC波幅辯認比率11位。DAC的模擬網傷害可不可以在正常情況下實現狀態(而針對于第1 名奈奎斯特頻率段)和回零狀態(而針對于第1 名、其次和第四奈奎斯特頻率段)基本操作期間首選。

DS88高速啁啾直接數字頻率合成器

2018-09-10 14:26:13 DS878不是種高速路馬上數據組成器（DDS），平率調諧甄別比比率32位，ROM相位甄別比比率13位，DAC波動甄別比比率11位。DAC的模以工作輸出還可以在日常提高玩法(相面對一奈奎斯特頻段)和回零玩法(相面對一、最后和3、奈奎斯特頻段)操作流程左右選定。

超寬帶高功率高效率的GaN放大器

2018-09-06 15:30:42 我們大家檢測結局了了種寬度帶高工作最大電機功率高效能率的GaN變小器。運營從100MHz到3000兆赫。最合適的結局收錄100W的輸入工作最大電機功率，22dB收獲，40%的工作最大電機功率加強生產率從100MHz到3000兆赫。這樣的耐磨性是完成剪裁兩人裝備來改變的。抗阻與的難忘的光纖寬帶電源三極管相配拓撲關系設計的概念。前兩者具體設計的概念技術水平將求出元件和相配電源三極管。

40-4000MHz寬帶高功率GaN MMIC功率放大器

2018-09-06 15:21:17 我門評估報告半個個高效果的GaN MMIC電機功效拖動器事情在40MHz到400MHz兩者之間。這家完成80W單脈沖激光（100US單脈沖激光寬和10%占空比）MMIC間歇）所在電機功效（P5dB），40MHz，50W高生產率為54%大致需要30%的高生產率在大方面的里邊頻譜，、在400MHz時，高生產率日益有效降低到30W，高生產率為22%。

使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

2018-09-06 15:19:40 GaN HEMT體現了高導出馬力密度計算公式和網絡帶寬寬下的轉化率高率。然而 GaN HEMT的曲線度大多數比GaAs元器的曲線度差。這篇文入憲好幾回種方便的方案來有效改善GaN HEMT的曲線度。所入憲的方案是將元器分解成與獨立性控制的柵極偏置電流電壓串并聯的許多子單園，而后對對子單園導出使用馬力組合名字。

CMD273P3高隔離度低損耗寬帶DPDT轉換開關DC-12 GHz

2018-09-05 17:08:51 CMD273P3是一個款低損失帶寬正調節MMIC DPDT變為旋轉開關，所使用無引腳3x3 mm表面層貼裝芯片封裝。CMD273P3遍布直流變壓器至12 GHz，在6 GHz時還具有1.7 dB的低嵌入損失和42 dB的高丟開度。CMD273P3所使用0 / + 5 V互補式調節端電壓方法論線事情。

CMD272P3低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉換開關DC-10 GHz

2018-09-05 17:06:11 CMD272P3都是款低消耗寬帶網絡正操作MMIC DPDT換為面板開關，分為無引腳3x3 mm界面貼裝二極管封裝。CMD272P3覆蓋面電流至10 GHz，讀取消耗低至1 dB，6 GHz時的高丟開度為43 dB。CMD272P3分為0 / + 5 V互替操作端電壓思維模式線的工作。

CMD215芯片形式通用寬帶射頻微波高隔離反射型MMIC SPDT開關DC-40 GHz

2018-09-05 17:03:57 CMD215是存儲芯片的形式的公用光纖寬帶RF /微波通信高分隔防曬反射面型MMIC SPDT電開關。CMD215的交流電交流電壓為40 GHz，享有2.3 dB的低放入損耗率和36 dB至20 GHz的高分隔防曬度。

DC-18GHz寬帶L波段S波段C波段X波段Ku波段SP5T非反射開關CMD235C4

2018-09-05 17:01:31 CMD235C4就是款光纖寬帶RF /徽波MMIC SP5T電面板開關，主要是指無引腳4x4 mm表面層貼裝（SMT）封口。CMD235C4遍及直流變壓器至18 GHz，在10 GHz時具2.5 dB的低加上耗損和40 dB的高隔離霜度。該電面板開關還是指的板載二進制編解碼器電線，它將所要的邏輯推理把控好線個數從這幾個抑制到這幾個。

CMD234C4寬帶RF微波非反光設計SP3T開關DC-18 GHz

2018-09-05 16:57:27 CMD234C4一款聯通寬帶RF /紅外光MMIC SP3T按鈕開關，按照無引腳4x4 mm表面上貼裝（SMT）打包封裝。CMD234C4包括電流至18 GHz，在10 GHz時兼備2 dB的低進到這一領域衰減和40 dB的高要進行隔離度。

DC-28 GHz寬帶射頻微波高隔離SPDT非反射開關CMD196

2018-09-05 16:53:46 CMD196是電子器件方法的專用聯通寬帶RF /紅外光高隔離霜非漫反射MMIC SPDT打開。CMD196的直流電源交流電壓為28 GHz，讀取耗損率低至1.75 dB，14 GHz時的高隔離霜度為46 dB。

CMD230寬帶射頻微波DC-26GHz低損耗寬帶性能SPDT開關芯片

2018-09-05 16:49:08 CMD230是集成塊表現形式的通用版光纖寬帶RF /徽波高屏蔽反射面型MMIC SPDT轉換開關。CMD230的電流直流電壓為26 GHz，添加耗率低至1.4 dB，13 GHz時的高屏蔽度為40 dB。

DC-20 GHz高隔離度L波段S波段C波段X波段Ku波段K波段SPST非反射開關

2018-09-05 16:46:29 CMD204C3是一種款通用性網絡帶寬RF /微波加熱高防曬消毒霜度非反射層型MMIC SPST打開，應用無引腳3x3 mm表面能貼裝（SMT）封裝類型。CMD204C3的電流至20 GHz，加入衰減低至1.3 dB，10 GHz時的高防曬消毒霜度為48 dB。

CMD204通用寬帶RF微波DC-20GHz正增益斜率SPST非反射開關芯片

2018-09-04 16:07:18 MD204存儲芯片是通用版移動寬帶RF /微波射頻高要進行隔絕無漫反射MMIC SPST面板開關按鈕。CMD204的電流額定電流值為20 GHz，更具1.0 dB的低嵌入消耗和10 GHz時50 dB的高要進行隔絕度。該面板開關按鈕便用0 / -5 V的互替調節額定電流值思維線業務，免偏置電。

DC-20 GHz高隔離度SP4T非反射開關CMD203C4

2018-09-04 15:58:38 CMD203C4一款寬帶網RF /紅外光MMIC SP4T打開，選取無引腳4x4 mm界面貼裝（SMT）芯片封裝。CMD203C4涵蓋交流電至20 GHz，進到這一領域消耗低至2.4 dB，10 GHz時的高要進行隔離度為39 dB。該打開還涵蓋一些板載二進制編解碼器電路板，它將必需的方法調控線比例從4個縮短到2。

CMD203射頻微波DC-20GHz高隔離度SP4T非反射開關芯片

2018-09-04 15:51:24 CMD203是一種款裸片式微波射頻射頻/微波射頻MMIC SP4T電按鈕，通過裸片組織形式。CMD203的整流電至20 GHz，嵌入損失低至2.4 dB，10 GHz時的分隔度更高達39 dB。該電按鈕還具有這個板載二進制破譯器電路設計，它將需求的邏輯學掌握線占比從4個減低到多個。

CMD196C3寬帶射頻微波DC-18 GHz低損耗寬帶性能SPDT非反射開關MMIC

2018-09-04 15:46:02 CMD196C3是一個款互通帶寬RF /徽波高防護度非全反射型MMIC SPDT電開關，所采用無引腳3x3 mm接觸面貼裝（SMT）打包封裝。CMD196C3的直流電源工作電壓為18 GHz，還具有1.5 dB的低放耗費和8 GHz時46 dB的高防護度。

CMD195C3寬帶射頻微波DC-18 GHz高隔離度L至Ku波段SPDT非反射MMIC開關

2018-09-04 15:18:04 CMD195C3是款網絡帶寬RF /徽波MMIC SPDT旋轉觸點開關，適用無引腳3x3 mm外壁貼裝（SMT）打包封裝。CMD195C3區域交流電至18 GHz（L至Ku頻段），具備有2 dB的低插入圖自然損耗和37 dB的高隔開度甚至正增加收益值斜率。正增加收益值斜率效果支持將倆個旋轉觸點開關級聯在我們一起，而不用辦理增加收益值均等化電路原理。

L波段至K波段DC-20GHz裸片式快速切換SPDT非反射開關MMIC芯片CMD195

2018-09-04 15:10:53 CMD195是一個款裸片式非條件反射式GaAs頻射/徽波MMIC SPDT打開，采用了裸片風格。CMD195包含電流至20 GHz，具備2 dB的低進到這一領域耗率和37 dB的高隔離度和正增加收益值斜率。正增加收益值斜率功效禁止將許多打開級聯在一塊，而不需增加收益值教育均衡發展線路。

L至Ku波段DC - 18GHz高隔離度SP6T非反射開關CMD236C4

2018-09-04 15:08:03 CMD236C4都是款移動寬帶MMIC SP6T面板按鈕開關，應用無引腳4x4 mm從表面貼裝裝封。CMD236C4遮蓋直流電源至18 GHz，讀取損耗量低至2.5 dB，10 GHz時的高要進行隔離度為42 dB。該面板按鈕開關還包涵一款板載二進制轉碼器電路板，它將所需要的思維把握線用戶從這幾個限制到這幾個。

AMCOM寬帶放大器芯片的可靠性獲得美國Raytheon公司的贊譽

2018-09-04 11:34:05 芬蘭AMCOM 工司的茶葉市場相關人員在例行工做交談Raytheon工司找到，它們在200兩年使用的的AMCOM的網絡帶寬縮放器處理器品牌，使用于聲納預警信號軟件的工做，長期工做近多年時段，階段在全球性無數防務的客戶中，均未如何評價有出現問題發生了。對這，Raytheon工司聲納工做工作師精英團隊帶來AMCOM工司特別高的茶葉品質如何評價。

3-6 GHz低相位誤差S波段C波段5位數字移相器CMD174

2018-09-03 16:43:56 CMD174管芯是GaAs MMIC 5位移相器。CMD174辦公聲音頻率為3至6 GHz，作為0至360度的增函數相位蓋住，LSB為11.25度。該器材采用了0或-3 V單比特負思維模式抑制，進到這一領域耗損率為7.6 dB，相位粗差為±2度。

13-17 GHz低相位誤差Ku波段4位數字移相器CMD176P4

2018-09-03 16:27:41 CMD176P4就是款GaAs MMIC 4位移相器，通過無引腳4x4 mm塑膠片界面貼裝（SMT）封裝形式。CMD176P4辦公幾率範圍為13至17 GHz，出示0至360度的單薄相位遍布，LSB為22.5度。RF /微波加熱電子器件通過0或+3 V的單比特正方法論保持，加入耗損為8 dB，相位誤差率為±5度。

3-6GHz低相位誤差S波段C波段5位數字移相器CMD174P4

2018-09-03 16:14:39 CMD174P4一款GaAs MMIC 5位移相器，運用無引腳4x4 mmPVC表面層貼裝（SMT）芯片封裝。CMD174P4辦公頻繁 為3至6 GHz，展示0至360度的簡單相位包裹，LSB為11.25度。移相器運用0或-3 V的單比特負思想設定，加上材料耗費為7.6 dB，相位不確定度為±2度。

2-4 GHz低插入損耗S波段5位數字移相器360°相移CMD175P4

2018-09-03 16:07:21 CMD175P4就是一款GaAs MMIC 5位移相器，利用無引腳4x4 mm泡沫塑料的表面貼裝（SMT）芯片封裝。CMD175P4操作頻次為2至4 GHz，提供數據0至360度的有界相位覆蓋率，LSB為11.25度。該RF /徽波元件利用0或-3 V的單比特負思維模式調控，加入自然損耗為7 dB，相位出現偏差的原因為±5度。