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在使用有著獨立自主柵極偏壓把握的串連多晶體管的GaN HEMT放縮器的非線性提升

發部時間間隔：2018-09-06 15:19:40     手機瀏覽：2001

弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT包括高打印打印輸出工作額定電壓體積密度和寬帶網寬下的高效益率。如果GaN HEMT的線型網絡網絡度一般是比GaAs配件的線型網絡網絡度差。本篇文章確立好幾個種方便的手段來調節GaN HEMT的線型網絡網絡度。所確立的手段是將配件劃分與獨立的管理的柵極偏置額定電壓串聯的幾個子摸塊尺寸，最后對仗摸塊尺寸打印打印輸出使用工作額定電壓搭配組合。


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