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企業統計好幾回個高效能的GaN MMIC功效放縮器事情在40MHz到400MHz里頭。這款保證 80W智能發生器（100US智能發生器尺寸和10%占空比）MMIC重復）的輸出的功效（P5dB），40MHz，50W轉化率為54%最少30%的轉化率在大個部分的里頭k線，包括在400MHz時，轉化率迅速消減到30W，轉化率為22%。40-400MHz頻段的功效增加收益為25dB。這款超大帶效能是選用剪截設施來保證 的。的輸出的輸出阻抗，并選用獨一無二的網絡帶寬網電源線路適合拓撲結構學。兩個設施的詳盡來設計枝術并做出適合電源線路。指標值合同條款-網絡帶寬網放縮器，高交流電壓枝術，徽波元器，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
型號表（圖2）。電流偏置工作電壓和頻射所在輸入抗阻這個HIFET就是1.4mm機構干電池的多倍。裝置，特殊是在低頻段。按照適度的選澤機構機組測試卷產品的面積大小和機組測試卷機組測試卷產品的數量型號表，他們能夠 優化網絡HIFET所在輸入抗阻為相當50歐姆，以構建寬帶網絡能力。