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我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這一個2x1.12mm的機器接連1.12mm的5個DC和RF電容關聯單元測試卷電池電子元集成電路芯片。他們被稱作顯卡配置HIFET〔4, 5, 6，7〕。直流電源的端電壓偏置的端電壓與rfrf射頻這一個HIFET的打印傳輸傳輸特性抗阻切換皆是1.12mm單元測試卷電池平衡裝置。經過正確抉擇單元測試卷電池電子元集成電路芯片規格尺寸大小和電容關聯單元測試卷電池電子元集成電路芯片的占比可提高HIFET最合適的打印傳輸傳輸特性抗阻切換相似滿足50歐姆，保證聯通光纖寬帶穩定性。圖2A和2B體現第1 的的步驟和第十二種的的步驟的鍵盤輸入和打印傳輸傳輸特性抗阻切換，依次。請目光，第十二種的的步驟最優性。在0.25GHz的打印傳輸負荷傳輸特性抗阻切換相似50歐姆。這一個數據使低rfrf射頻消耗聯通光纖寬帶切換，這個是高打印傳輸電機功率保證寬頻帶寬度的極為意義和生產率。這50歐姆最合適的打印傳輸傳輸特性抗阻切換為經過正確抉擇單元測試卷電池電子元集成電路芯片規格尺寸大小和系機器的占比。會因為第十二種的的步驟有2單元測試卷電池電容關聯，直流電源的端電壓偏置的端電壓為60V的第十二種的的步驟。