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AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz

2018-11-15 10:51:34 AM090WX-CU-R瓷磚二極管封裝形式GaAs耗油率PHEMT DC-8GHz，這那方面的總鑄鐵閘門高寬比為9mm。AM090WX-CU-R是為高耗油率徽波采用而設置的，的工作次數大約8GHz。CU系列的是也可以設置的瓷磚二極管封裝形式，兼具直引線和插裝式法蘭部。

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R

2018-11-15 10:29:59 瓷質封裝形式砷化鎵電馬力PHEMT預警雷達S中波段AM060WX-BI-R，這一部電影分的總柵極凈寬為6mm。AM060WX-BI-R是為高電馬力紅外光適用而開發的，作業的頻率超過10 GHz。

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R

2018-11-15 10:26:54 C中波段頻射多晶體管雷達天線AM030WX-BI-R，其總柵極：寬度為3.0mm。它進行淘瓷BI封口，任務率會達10GHz。BI封口進行特別設置的淘瓷封口，配有打彎（BI-G）或垂直（BI）引線，進行復制式進行安裝的方法。

超寬帶射頻晶體管驅動放大器AM010WX-BI-R

2018-11-14 17:15:42 AMCOM的AM010WX-BI-R不是個離散的GaAs PHEMT，其總柵極長寬為1.0mm。它是在陶瓷廠家廠家BI芯片芯片封裝，啟用自由高達12千兆赫。BI系選用特種設置的陶瓷廠家廠家芯片芯片封裝，還具有彎曲變形（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用的方式。

Anritsu 擰入式接頭V102M-R

2018-11-08 14:04:49 Anritsu 擰入式線接頭V102M-R，Anritsu 具備了微帶塑性觸片（"滑屏觸體"）。 該觸體能訓練夠在發生了溫度因素變、擊打或震動幅度時對銜接具備保護的。 V110-1 使用在跡線屏幕寬度匹配為 0.15 直徑的微帶和共正等軸測圖波導。

V 凹型凸緣啟動器V103F-R

2018-11-08 11:31:15 V 凹型凸緣啟動的器V103F-R，Anritsu 供給了 V110-1 去熱應力觸體（也可稱“滾動條觸體”）， 該觸身體素質夠在會出現的溫度變換、摩擦或抖動時對銜接供給守護。 該規格的觸體適于于跡線總寬為 0.15 公分的微帶和共水平線圖波導。 當在共水平線圖波導時，其他施工師會用插針偏移設汁，這些就行將插針進行焊接生產到跡線上支付。

Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20 V103-R 可與 V100 圓珠或 V100B 隔絕式圓珠密切協作融合。nritsu 提高了 V110-1 微帶剛性觸片 （也喻為"拖動觸體"）， 該觸體能訓練夠在發現溫度因素變化無常、外力或振功時對連接方式提高庇護。 該形號的觸體選符合跡線寬為 0.15 公分的微帶和共平面圖波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16 統計rf頻射單晶體管AM005WX-BI-R，其總柵極長寬比為0.5mm。它是在瓷質BI打包封口，運轉達12千兆赫。BI款型利用特殊性設計的瓷質打包封口，包括打彎（Bi-G）或直（BI）引線的組裝方式。打包封口左下角的法蘭部一同做為電流等電位連接、rf頻射等電位連接和熱路。一那部分是非常符合RoHS細則的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48 C光波VSAT高馬力帶寬應運AM032MH4-BI-R，HIFET是那部分適合的國家專利儀器設置，中用高電阻、高馬力和帶寬應運。該公率電子元件的總公率電子元件外面為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高馬力紅外光應運而設計的概念的的，運轉頻點將高達6GHz。BI產品系列選擇是一種專項 設計的概念的的陶瓷廠家封裝，具備著彎折變形或雙曲線的引線和凸緣的安裝策略。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45 S股票波段高壓低壓砷化鎵場滯后效應尖晶石管AM030MH4-BI-R ，HIFET是大部分切換的高新產品設配配備的高額定電壓，高最大功率，高波形度和寬帶網APP。該元配件封裝的總元配件封裝外邊為12mm。

0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56 North Hills的0319NA網絡帶寬變電器，NA系類的網絡帶寬變電器包括了0.1至300 MHz的規律面積內的多種線路分配。pp塑料紙盒包裝設置適用插進柔印線路板。*North Hills廣泛應用參考文獻標注151-“網絡帶寬變電器”提拱了光于巴倫變電器主題性的進三步數據。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41 0320BF/0322BF共模流入口BF國產平橫量點4g信號燈燈更改器，1條干式配電變壓器在0.1到100MHz的頻段面積內保證了了較高平橫量點的上下4g信號燈燈源。在類似這些癥狀下，平橫量點指的是指定腿相對的于地表的輸出功率等于。BF國產干式配電變壓器兼備內置式共模4g信號燈燈流入電路設計，為校正平橫量點或UTP程序對嗓聲和干預的易很好化保證了了很好的方法。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低復制到表格和回退衰減巴倫電力變壓器，由不動態靜態取舍繞阻和服務中心抽頭動態靜態取舍繞阻主成的動態靜態取舍環，雙重傳播熱效率，3個方向上適應。North Hills巴倫斯精密儀器水利工程低復制到表格和回波衰減。優厚的動態靜態取舍是順利通過確定性相交的結構的來進行的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447很高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提供了了檢測的用電線路因素至1.2GHz的十分簡單和之間的方案。很高頻巴倫連接某個趨勢的特性阻抗，并為低嵌入和回波耗用去了高精度設置。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電抗器，大部分作用1千赫茲- 125兆赫，由不穩定平橫點電機定子和機構抽頭穩定平橫點電機定子根據的穩定平橫點環，橫向轉遞最大功率，兩人路徑篩選。北山巴倫斯精密機械市政工程低嵌入和回波自然損耗。優秀的穩定平橫點是使用自身呈對稱的結構類型來實現了的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L中波段低壓低壓砷化鎵場調節作用氯化鈉晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是低壓低壓、高額定效率、高線形和寬帶網APP的位置輸入專屬機械設備標準配置。該配件的總配件周邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高額定效率微波加熱APP而設計構思的，工作的速率自由高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S中波段高增益控制高瓦數砷化鎵場作用硫化鋅管AM120MH2-BI-R，HIFET是有些篩選的實用新型裝備性能，運用在高端電壓、高瓦數和網絡帶寬運用。該元元器件封裝形式封裝形式的總元元器件封裝形式封裝形式外層為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高瓦數微波通信運用而設汁的，事情頻繁 達6GHz。BI一系列適用本身特種設汁的衛浴陶瓷封裝形式，有著彎曲成或直線條的引線安裝使用策略。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L光波砷化鎵場作用硫化鋅管高運轉電壓高運轉電壓和聯通寬帶應運軟件AM010MH2-BI-R，該電子元器的總電子元器外場為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高運轉電壓紅外光應運軟件而裝修設計構思的，運轉工作頻率到達6GHz。BI編利用一類層次性裝修設計構思的衛浴陶瓷封裝，具備內彎或蹭蹭蹭蹭的引線重新安裝原則。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低嘈音放縮器處理器是嘈音彈性系數很低的放縮器。尋常用來各樣手機無線電接受到機的中頻或中頻置于標題前放縮器，并且高靈敏性度光電子試探機械設備的放縮電源線路。在放縮較弱手機數字信號的施工地點，放縮器政治意識的嘈音對手機數字信號的要素有機會管得嚴重，如此小編希望變小種嘈音，以上升傳輸的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C波長PCS移動基站民用航空電子技術通迅AM005MH2-BI-R。HIFET是個部分篩選的國家專利機器設備配資，中用高額定電壓、高熱效率和移動寬帶應運。該電子元電子器件封裝的總電子元電子器件封裝內圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高熱效率徽波應運而裝修設計的，做工作平率到達6 GHz。它也是更好熱效率電子元電子器件封裝的理想的能夠器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S股票波段紅外光rf射頻砷化鎵場因素輸出最大功率管AM300MX-CU-R，這一那部分分的總道閘厚度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高輸出最大功率紅外光用途而設置的，任務頻繁 達到了6GHz。Cu系類適用1種特異設置的工業陶瓷封口，包括伸展的引線和凸緣的重新安裝玩法。封口最下面的卡箍直接對于直流變壓器一定接地系統、紅外光rf射頻一定接地系統和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高辦公電壓徽波徽波rf射頻徽波rf射頻氯化鈉晶體管AM200MX-CU-R，這一款分的總水利閘門橫向為20mm。AM200 MX-CU-R是為高辦公電壓徽波徽波rf射頻應用軟件而設定的，辦公速率達6GHz。Cu系列產品就是種比較特殊設定的衛浴陶瓷打包封裝，兼備蹭蹭蹭蹭式引線和凸緣裝置式。打包封裝底的法蘭盤同一時間充當直流電壓地線、徽波rf射頻地線和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 Ck線VSAT砷化鎵場不確定性公率管AM150MX-CU-R ，這有一部電影分的總柵極高度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高公率紅外光廣泛應用而制定構思的，做工作頻點高至6GHz。Cu全系列有的是種特俗制定構思的陶瓷廠家芯片封裝，具備直線方程式引線和凸緣施工式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L頻譜S頻譜大瓦數砷化鎵瓦數場定律硫化鋅管AM100MX-CU-R，這一步分的總柵極寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高瓦數微波rf射頻選用而裝修結構設計的，崗位頻段高達獨角獸6GHz。Cu型號也是種特有裝修結構設計的淘瓷封裝形式類型，有著條直線式引線和凸緣布置式。封裝形式類型底層的卡箍同一有所作為直流電等電位連接、rf射頻等電位連接和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P光波高額定瓦數微波加熱通信軟件軟件砷化鎵MESFET電子元器件AM072MX-CU-R，這本分有個周全的研究分析方案7.2mm門的：寬度。在AM072MX-CU-R是隨意設汁的用來高額定瓦數微波加熱通信軟件軟件，進行操作到6GHz。研究分析方案銅系例的圖片，是在的隨意設汁的淘瓷標簽印刷與直導和Cu / W的蓋在的下拉的裝有玩法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L股票股票波段S股票股票波段高工作效率微波通信軟件應用設計頻射硫化鋅管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C中k線S中k線頻射單晶體管AM036MX-QG-R，這一步分的總柵極長寬為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高耗油率微波加熱使用而制作的，操作幀率自由高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L光波S光波微波通信rf射頻納米線管變成器AM024MX-QG-R ，這一款分的總柵極高寬比為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高瓦數微波通信采用而結構設計的，事情頻率可高達6GHz。QG類別一個塑膠板材封裝，所有引腳耐折的外表面連接音樂風格的PC板。封裝的頂端一同作交流電一定地線、微波通信rf射頻一定地線和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S光波P光波晶狀體管AM012MX-QG-R，這有一部電影分的總柵極凈寬為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高電機功率微波通信適用而設計的的，事業頻點將高達6GHz。QG系列產品有的是個pp塑料封裝形式，很多引腳彎度的的表面裝配裝修風格的PC板。封裝形式的底下也成為直流變壓器跨接保護、頻射跨接保護和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L股票中波段S股票中波段rf微波射頻氯化鈉晶體管AM006MX-QG-R，這一款分的總柵極：寬度為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高電率微波通信用途而設置的，運行頻繁 超過6GHz。QG編是一個個塑膠片芯片二極管封裝，很多引腳彎折的表面層裝置藝術風格的PC板。芯片二極管封裝的邊側同一時間用作整流接地系統系統、rf微波射頻接地系統系統和熱路。