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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙類型的一款分。HIFET是地方輸入的申請機調試，廣泛用于高電阻值、高事業電壓和網絡帶寬運用。該元器的總元器外層為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高事業電壓徽波運用而結構設計方案的，事業頻繁 更是高達6GHz。BI類型進行某種特定結構設計方案的淘瓷芯片二極管封裝，具備彎折或漸近線的引線裝置方式英文。芯片二極管封裝尾部的法蘭片一同是 整流的接地線、rf射頻的接地線和熱路。此HiFET是復合RoHS規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
用以效果蒸發器的瓷磚封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信