S波長直流高壓砷化鎵場作用結晶管AM030MH4-BI-R
分享時長:2018-11-07 11:32:45 瀏覽記錄:1808
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙類型GaAs HIFET的1地方。HIFET是地方適配的知識產權設施設備分配的高電流,高功效,高規則化度和網絡帶寬軟件應用。該元元件的總元元件周邊為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高功效微波加熱軟件應用而設置的的,運作幾率獨角獸高達3GHz。BI類型應用的專項 設置的的陶瓷廠家封裝,都具有屈曲或蹭蹭蹭蹭的引線和凸緣連接形式。封裝底端的法蘭部還身為電流跨接、頻射跨接和熱路。這一個HiFET是符合國家RoHS標準單位的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
用來有效率,散熱處理的陶瓷制品封裝類型
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信