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?三是代650 V裸片SiC MOSFET

分享的時間:2025-01-03 16:57:39     搜索:684

行行業內超頂級導通電阻器和打開消耗的資金,能改變最佳選擇安全性能和輸出功率強度參數指標。

Wolfspeed會按照第3代650 V SiC MOSFET增高了其氧化硅(SiC)高技術上的主導權實力地位。在更率先的電網機系統中達到身材比例更小、承重更輕、越高效的電網生成。650 V SiC MOSFET是特點優良工農業電源線、保障器/電信手機網絡手機網絡交流電源、新生物質能源自動車高鐵(EV)充能控制系統、存儲機器設備、緊急主機電源(UPS)和充電電池方法體統等功能鍵的最好的選擇。

表現

溫度過低場景的低導通電阻值

低寄生菌電阻

具備條件不高反向的方式給回治愈的高效、性價比最高整流二極管

繼續高溫環境遠程控制(Tj=175°C)

MOSFET.png

資源優勢

可以通過的調整電開關和傳送數據損耗費加強裝備轉化率

做到高控制開關幾率遠程操作

的提升系統化級公率比熱容參數值

有效降低平衡裝置外形尺寸;含水量;和降溫的要求

非常典型應用軟件

工業企業電壓

業務器/5G網絡數據

新自然能源充點樁安裝

儲電機械設備(ESS)

應急處置開關電源(UPS)

電池板管理方法軟件(BMS)

CREE科銳于2017年分離出來出微波加熱rf射頻產品Wolfspeed,以寬帶網絡、大公率拖動器服務為獨特。

成都市立維創展自動化是CREE的生產商商,持有CREE微波加熱器材優質采購橋梁,信用貸款可以保障原廠正貨。

*局部尺寸需申請注冊歐美出口貿易許證。祥情明白很多型號查詢,歡迎詞了解立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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