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選擇還具有經濟獨立柵極偏置掌握的多處理機系統結晶體管的GaN HEMT縮放器的非線性減弱

發布消息日期：2018-05-04 13:53:07     瀏覽器：9331

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：用具備有自立柵極偏置調控的串并聯尖晶石管的GaN HEMT增加器的非線性增強。 GaN HEMT兼備較高的打出生產率強度和較寬的帶寬的配置生產率。僅是，GaN HEMT的線型典例地比GaAs電子元器的線型更差。文章做出一堆種簡略的的辦法來改善GaN HEMT的線型度。所做出的的辦法是將電子元器劃分為與單獨保持的柵極偏置端電壓串聯的數個子第一單元式，如果將生產率合全為子第一單元式打出。原行擴大器..
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