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氮化鎵28V，45W，DC-3.5 GHz HEMT
NPT1015B GaN HEMT就是款對DC-3.5 GHz運作優化網絡的網絡帶寬尖晶石管。該電子元件結構設定用以CW，脈沖發生器和規則化運作，輸出輸出額定功率為45W（46.5 dBm），用到工藝規格合金材料瓷器封裝，含帶螺帽卡箍。該物料結構設定牢靠，散熱量低，穩固耐操，就能夠擁有輸出和輸出輸出的極端分子不適合，也不會磨損專用設備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT1015B	1周	150

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特征
 適用于線性和飽和應用
 堅固耐用的設計通過15：1 VSWR測試
 高排水效率（> 55％）
 行業標準包裝
 28V操作
 可從DC-3.5 GHz調諧
 在TJ = 200°C時MTTF> 106可靠

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦
增益：14 dB
測試頻率：2.5 GHz
Theta JC：2.1 C / W.

MACOM是全.球擁有開家比較廣泛用于微波射頻操作的GaN on Si枝術廣泛應用出售商。公司在Si RF操作輸出氯化鈉納米線管類物品上打造比較廣泛的反復波（CW）GaN，最為分立電子為了實現電子時代發展的標準，元器件和信息模塊，設汁操作在DC至6 GHz。公司的高操作輸出CW和曲線氯化鈉納米線管是民用型航班電子為了實現電子時代發展的標準，設施設備，通信枝術，wifi網絡，長脈沖造成的統計及企業，科學課和醫院操作的滿意取舍。公司的類物品組合起來用了MACOM大于60年的一般，哪怕用GaN on Si枝術廣泛應用打造規定和訂制克服方法，以實現客服最苛求的標準。公司的GaN on Silicon類物品，主要包括分立氯化鈉納米線管和集成型擴大器，主要包括0.5廊坊可耐電器欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区HEMT加工工藝，在操作輸出，增加收益，增加收益比較平整度，工作效率部分展現出表現出色的RF特性，