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氮化鎵48V，12.5W，DC-3.5 GHz HEMT
NPT2018 GaN HEMT也是款面對DC-3.5 GHz事情調整的網絡帶寬結晶管。該電子元件的設計用作間斷波，脈沖激光和線型事情，模擬輸出公率為12.5W（41 dBm），采用了工業生產規范表面能貼裝pp塑料封口。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT2018	1周	90

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特征
 適用于線性和飽和應用
 工業標準塑料包裝
 48V操作
 可從DC-6 GHz調諧
 高漏極效率（> 60％）

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：48 V.
PSAT：12.5瓦
增益：17.5 dB
測試頻率：2.5 GHz
Theta JC：6.5 C / W.
最大頻率：3,500 MHz
最小頻率：0 MHz

MACOM是世界各國僅僅哪家分為rf射頻用途的GaN on Si技能生產商。我門在Si RF額定電率晶狀體管產品上給出常見的間斷波（CW）GaN，最為分立元器件和設計方案，構思事業在DC至6 GHz。我門的高額定電率CW和非線性晶狀體管是軍用民航手機的設備，網絡數據通訊，網絡數據，長激光脈沖聲納包括產業，數學和醫療管理用途的抱負選購。我門的產品組合通過了MACOM達到60年的傳統文化，或許用GaN on Si技能給出準則和個人定制來解決設計方案，以要求客最刻薄的具體需求。我門的GaN on Silicon產品，分為分立晶狀體管和集成化變小器，分為0.5毫米HEMT制作工藝，在額定電率，增加收益，增加收益比較平整度，的效率部分情況出市場大的的RF特性，