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CREE的CMPA2735030是種要根據氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面微波射頻融合三極管 (MMIC)。與硅或砷化鎵相對比較，GaN具備著更進一步非常好的功效；其中包括更加高一些一些的損壞場強；更加高一些一些的呈現飽和狀態電子器材漂移高效率和更加高一些一些的熱傳導公式。與Si和GaAs多晶體管想必較，GaN HEMT還帶來了了越來越高的耗油率溶解度和更寬的帶寬使用。CMPA2735030其中包括兩極電抗配適功效調小器設定理念，就能構建極為寬的傳輸速率。

的特征

額定容量相電壓敢達 50 V

高穿透場強

總寬為 5mm x 5mm；QFN 打包封裝

持續高溫度便用

利用域

軍用型和軍工行業用激光脈沖聲納工作功率變小器

的產品技術參數

文章的話：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 公率增加器

比較低平率(MHz)：2700

最高的人頻段(MHz)：3500

最大值效果工作功率(W)：30

增益控制值(dB：)30.0

工作中速率（％）：45

載荷系數額定容量(V)：50

模式：離散裸集成塊

打包封裝類屬：Die

系統：GaN-on-SiC

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