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?650V分立氧化硅MOSFET CREE

公(gong)布的時間:2024-12-04 17:05:57     看:630

CREE研發部了第二代650V分立氧化硅,增強了氧化硅(SiC)技術的領跑影響力;構建更小;更簡單;各類在很大面積供電工程系統性中構建精細的供電工程變換。650V分立炭化硅是包函穩定性匠心企業24v電源等以外的技術應用的非常理想會選擇;產品器設備/通信軟件電原;新再生資源車電動車充電軟件;儲電裝備;應急響應電原;十分電池組安全管理軟件。

MOSFET.png

本質特征

高溫生(sheng)態環境(jing)的低導通(tong)電阻功(gong)率(lv)

分太低布電容(電容器)

必(bi)備太低(di)倒(dao)置(zhi)恢愎的更高效電感

高溫(wen)環(huan)境用(TJ=175°C)

開爾文源管腳

制造業標準規范通孔和SMT封裝

型號查詢標準小

絞線電感低

低熱性電阻值

優點

按照消(xiao)減(jian)電(dian)開關(guan)和傳送不足不斷提高(gao)裝置速率

保持高電源開關幾(ji)率操作

加強控制(zhi)系統級最大功率體積叁(san)數(shu)

提高(gao)程(cheng)序金橋銅業跨接(jie)線的(de)截面積(ji)大小;含水量(liang);和蒸發業務需(xu)求

開(kai)啟(qi)新的硬控制開(kai)關拓撲結構(gou)(Totem Pole PFC)

典型示范app

工業電

保障(zhang)器控制系統(tong)/通訊網絡

新新能源汽車車充能模(mo)式

儲(chu)蓄能量主設(she)備(ESS)

應(ying)急救援供(gong)電(UPS)

鋰(li)電處理程(cheng)序(BMS)

東莞市(shi)立維創(chuang)展技術非常有(you)限(xian)裝修公司品牌授權代(dai)理(li)商CREE徽波電子器件,要是想要購(gou)CREE物(wu)品,請彈框(kuang)左邊克服保持聯系我(wo)門!!!

 
Product SKUStatusBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackageQualification
C3M0015065DActive650 V15 mΩ120 A175 °CTO-247-3Industrial
C3M0015065KActive650 V15 mΩ120 A175 °CTO-247-4Industrial
C3M0025065LActive650 V25 mΩ77 A175 °CTOLLIndustrial
C3M0025065J1Active650 V25 mΩ80 A175 °CTO-263-7 XLIndustrial
C3M0025065DActive650 V25 mΩ97 A175 °CTO-247-3Industrial
C3M0025065KActive650 V25 mΩ97 A175 °CTO-247-4Industrial
C3M0045065J1Active650 V45 mΩ47 A175 °CTO-263-7 XLIndustrial
C3M0045065DActive650 V45 mΩ49 A175 °CTO-247-3Industrial
C3M0045065KActive650 V45 mΩ49 A175 °CTO-247-4Industrial
C3M0045065LActive650 V45 mΩ49 A175 °CTOLLIndustrial
C3M0060065DActive650 V60 mΩ29 A175 °CTO-247-3Industrial
C3M0060065JActive650 V60 mΩ36 A175 °CTO-263-7Industrial
C3M0060065KActive650 V60 mΩ37 A175 °CTO-247-4Industrial
C3M0060065LActive650 V60 mΩ39 A175 °CTOLLIndustrial
C3M0120065JLast Time Buy650 V120 mΩ21 A175 °CTO-263-7Industrial
C3M0120065LLast Time Buy650 V120 mΩ21 A175 °CTOLLIndustrial
C3M0120065DLast Time Buy650 V120 mΩ22 A175 °CTO-247-3Industrial
C3M0120065KLast Time Buy650 V120 mΩ22 A175 °CTO-247-4Industrial


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