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的使用具備有獨有柵極偏置操縱的并行處理晶狀體管的GaN HEMT擴大器的規則化增強

公布事件：2018-05-04 13:53:07     瀏覽網頁：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：用兼具單獨柵極偏置的控制的電容串聯納米線管的GaN HEMT放小器的線形提升。 GaN HEMT極具較高的輸入功效密度單位和較寬的上行寬帶效應。只是，GaN HEMT的直線典型的地比GaAs元器的直線更差。本文作者提起沒事種簡約的措施步驟來加強GaN HEMT的直線度。所提起的措施步驟是將元器切割成與單獨保持的柵極偏置直流電壓并接的幾個子單無，然后呢將功效合并且為子單無輸入。扮演增加器..
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