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GTRB246608FC-V1是CREE的款500瓦(wa)（P4dB）的SiC上GaN高電子元(yuan)器(qi)(qi)件遷徙(xi)率(lv)晶胞管(guan)（HEMT），全力于多標淮蜂窩狀(zhuang)熱(re)效率(lv)調(diao)大器(qi)(qi)軟件消費(fei)需求設計的概念。GTRB246608FC-V1具備著(zhu)高質(zhi)量率(lv)和無(wu)軸(zhou)環的熱(re)增(zeng)強打包封裝。

設備型號

闡明：高工(gong)作效(xiao)率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

高規律(lv)（MHz）：2400

增(zeng)加收益(yi)（dB）：15.7

芯片封(feng)裝專業類別：Earless

特色

典型的輸(shu)入脈(mo)沖CW機械性能，2400 MHz，48 V，10μs脈(mo)沖信號頻繁，10%占空比，組(zu)合構成(cheng)輸(shu)出的

P4dB=600 W時的讀取電率

P4dB=60%時的高效率

廣州市立(li)維創展新材料技術現有集(ji)團公司管(guan)理權限銷(xiao)售CREE微波射頻元器，如(ru)果需(xu)要購CREE成品，請點擊進(jin)入右(you)則客(ke)服專員取得聯系小編！！！