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CHA5014-99F挑選GaInP HBT工藝設備高技術，運用橫穿(chuan)基鋼(gang)板的通孔和和氣氣橋(qiao)。氮化學物質層自我保護氯化鈉晶體管(guan)和無源集成電路(lu)芯片。

CHA5014-99F分為獨特(te)性的(de)調控控制(zhi)電路(lu)來穩定攝氏度下的(de)輸(shu)入輸(shu)出電率。

其主要基本特征

30dBm呈(cheng)現飽(bao)和狀態傷害瓦數(shu)

體溫補償的輸(shu)出(chu)精度熱效(xiao)率

哪幾(ji)種偏置(zhi)模式英(ying)文：

-TTL界面金額有效控制

-努力于偏置(zhi)操(cao)作電路的模(mo)以操(cao)作

動(dong)態偏置點(dian)：8.5V@230mA

打包(bao)封(feng)裝圖片尺寸(cun)：2.87 x 1.37 x 0.1mm3

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