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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是種種聯通寬帶硫化鋅管集成塊，面對DC-3.5 GHz任務采取了優化網絡。該微電子器件能夠CW，輸入脈沖和線型任務，轉換最大功率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150至關可使用于中國國防移動通信，大陸聯通移動電，航班微電子機器設備，移動基礎上服務設施，ISM軟件和VHF / UHF / L / S頻譜雷達探測。用到SIGANTIC®生產工藝產生 - 種專有的GaN-on-Silicon的技術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是世界各國真正唯一的一家人于微波射頻應運的GaN on Si技藝生產商商。當我國公司在Si RF轉化率多納米線管品牌上具備諸多的連著波（CW）GaN，看做分立光電子器件和輸出模塊，設定工作上在DC至6 GHz。當我國公司的高轉化率CW和規則化多納米線管是商用飛防光電子裝備，溝通，網路，長電磁雷達天線并且產業，合理和醫療衛生應運的志向取舍。當我國公司的品牌組合公式使用了MACOM以上60年的以往，即是用GaN on Si技藝具備規格和設計改善措施，以實現用戶最不近人情的供需。當我國公司的GaN on Silicon品牌，主要包括分立多納米線管和一體化擴大器，主要包括0.5納米HEMT技術，在轉化率，增益控制控制，增益控制控制平緩度，轉化率上具體表現出非常好的的RF特點，