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GaN寬帶功率放大器，28 V，12.5 W
NPA1006一款移動式帶寬GaN工率變小器，對於20 - 1000 MHz崗位完成了優化方案。該變小器設計制作使主要用于飽和和直線崗位，傳輸電平為12.5 W（41 dBm），運用無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFNPVC封裝類型。NPA1006很適使主要用于測試圖片和測量方法，國防軍事通信網，大陸移動式wifi路由電和wifi路由知識基礎安全設施中的通用型窄帶回移動式帶寬應該用。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPA1006	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式放大器上的GaN
 無鉛6 x 5 mm 8引腳PDFN封裝
 100％射頻測試
 65％的排水效率@ 900 MHz
 14 dB增益@ 900 MHz
 28 V操作
 50 O輸入匹配，輸出不匹配
 寬帶操作范圍為20 - 1000 MHz
 適用于線性和飽和應用
 無鹵“綠色”模具化合物
 符合RoHS *標準，兼(jian)容260°C回流(liu)焊

應用
 國防通訊
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：28 V.
PSAT：12.5瓦
增益：14 dB
測試頻率：0.9 GHz
工作周期：900％
最大頻率：1,000 MHz
最小頻率：20 MHz

MACOM是歐洲真正某家中用rf射頻操作的GaN on Si科技出售商。我門在Si RF電機最大成功率晶胞管廠品上供給數據大面積的間斷波（CW）GaN，有所作為分立最大成功率器件和實施方案，設計事業在DC至6 GHz。我門的高電機最大成功率CW和規則化晶胞管是民用建筑國際航空電子無線專用設備，通信系統，互聯網，長脈沖信號雷達探測以其化工業，生物學和醫遼操作的好選取。我門的廠品搭檔利于了MACOM少于60年的傳統文化，只不過用GaN on Si科技供給數據標淮和私人訂制處理實施方案，以充分滿足企業最刻薄的所需。我門的GaN on Silicon廠品，分為分立晶胞管和ibms圖像運放電路，分為0.52umHEMT新工藝，在電機最大成功率，增加收益，增加收益白皙度，成功率的方面癥狀出不錯的RF穩定性，