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公司該報告好幾個個高特性的GaN MMIC成工作功率擴大器工作的在40MHz到400MHz期間。這一完成80W輸入輸入脈沖（100US輸入輸入脈沖高度和10%占空比）MMIC反復的）轉換成工作功率（P5dB），40MHz，50W成工作功率為54%大慨30%的成工作功率在大的部分的正中間光波，同時在400MHz時，成工作功率急劇大幅度降低到30W，成工作功率為22%。40-400MHz頻段的成工作功率增益控制為25dB。這一寬度帶特性是采用拼接機來完成的。轉換電阻值，并運行特殊的光纖帶寬電源電路系統連接拓撲關系學。四種機的圖解開發技術并給于連接電源電路系統。指標值免責條款-光纖帶寬擴大器，高電流電壓技術，紅外光集成電路芯片，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
型號（圖2）。直流電偏置直流電壓和rf射頻輸入輸出阻抗匹配各種HIFET都要1.4mm企業電芯的二倍。裝制，特別的是在粉紅噪聲段。就能夠通過十分的使用企業單位測試卷生產產品的規格和單位測試卷單位測試卷生產產品的量型號，大家就能夠整合HIFET輸入輸出阻抗匹配為比較敏感50歐姆，以滿足聯通寬帶機械性能。