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我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這種2x1.12mm的裝備拼接1.12mm的這兩個DC和RF并聯電阻計算單位充電元件。人們叫做配資HIFET〔4, 5, 6，7〕。整流偏置所在工作功率與微波rf射頻這種HIFET的所在工作效果電阻值皆是1.12mm單位充電保護裝置。能夠 合理的選購單位充電元件面積規格和并聯電阻計算單位充電元件的用量可SEOHIFET最適宜所在工作效果電阻值表示達成50歐姆，保證 移動帶寬能。圖2A和2B展示第一個關鍵時期和2.關鍵時期的投入和所在工作效果電阻值，不同。當心力，2.關鍵時期最優性。在0.25GHz的所在電位差工作效果電阻值表示50歐姆。這種可是可使低微波rf射頻損失移動帶寬配備，這個是高所在工作功率保證 寬頻寬的關鍵性性和速率。這50歐姆最適宜所在工作效果電阻值為能夠 合理的選購單位充電元件面積規格和系例裝備的用量。而是2.關鍵時期有2單位充電并聯電阻計算，整流偏置所在工作功率為60V的2.關鍵時期。