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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT還具有高輸送精度工作工率相對密度和移動寬帶寬下的高效、性價比最高率。僅是GaN HEMT的規則化網絡網絡度平常比GaAs電子元件的規則化網絡網絡度差。下面指出了一大種簡單易行的方式 來有所改善GaN HEMT的規則化網絡網絡度。所指出的方式 是將電子元件對半分與獨立性操縱的柵極偏置交流電壓并接的多條子機組，其次對聯機組輸送精度對其進行工作工率搭配。

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