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HMC455LP3(E)也是款高輸入的IP3 GaAs InGaP異質結雙導電性晶胞管(HBT)、1?2瓦特MMIC變成器，在1.7至2.5 GHz的速度下運作。 該變成器僅利用的是較為小的數的外面零件，出示13 dB的收獲，在PAE為56%時出示+28 dBm的飽和點額定功率，利用的一個+5 Vdc線電壓開關電源。 考慮到兼具+42 dBm的高輸入IP3，再運用1.4:1的低VSWR，以至于HMC455LP3(E)擁有滿足PCS/3G無線數字依據基建項目的很理想安裝驅動變成器。 這輛規則化變成器選擇成本控制預算的無引腳3x3 mm QFN接觸面貼裝封口(LP3)。 LP3出示裸漏基極以達成表現出色的RF和風扇散熱性能方面。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC455LP3ETR HMC455LP3E	?瓦特高IP3放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.5 GHz	現貨	269

HMC455LP3應用

• 多載波系統
• GSM、GPRS和EDGE
• CDMA和WCDMA

• PHS

HMC455LP3優勢和特點

• 輸出IP3： +42 dBm
• 增益： 13 dB
• PAE為56%（Pout為+28 dBm時）
• +19 dBm的W-CDMA通道功率（ACP為-45 dBc時）
• 3x3 mm QFN SMT封裝

HMC455LP3結構圖