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微波元件資訊

HMC468ALP3E寬帶3位GaAs IC數字衰減器現貨
2019-02-26 14:04:23 HMC468ALP3E就是款帶寬3位GaAs IC數據衰減器，采取低人工成本無引腳外壁貼裝二極管封裝。在DC到6.0 GHz規律下工作上，進到這一領域耗率高于1 dB典型示范值，很高達到了4 GHz。衰減器位值一般選擇1 (LSB)、2和4 dB，總衰減為7 dB。
HMC587LC4B寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器現貨
2019-02-26 11:28:34 HMC587LC4B有的是款寬帶網絡GaAs InGaP的輸出功效調整自激自由振蕩器，集就成為了諧振器、負電阻器功效器件、變容二級管。因自激自由振蕩器的單基帶芯片機構，其的輸出功效和相位噪音分貝效果在不一的溫差下保持極為很棒。
HMC561軍事x2有源寬帶倍頻器芯片 ADI現貨
2019-02-26 11:23:25 HMC561就是一款用到GaAs pHEMT方法的x2有源寬帶網倍頻器電源芯片。由+5 dBm衛星信號控制時，該倍頻器在8至21 GHz條件內提供數據+17 dBm的經典傳輸工作功率，在16 GHz幾率下，Fo和3Fo隔離防曬均為15 dBc。
HMC695LP4E有源微型x4倍頻器現貨代理
2019-02-26 11:07:15 HMC695LP4E有的是款借助InGaP GaAs HBT技術性研制而成的有源徽型x4倍頻器，選用4x4 mm無鉛表貼封裝。在+5V電線額定電壓下，耗油率錄入為+7 dBm（典型案例值）且相對性錄入耗油率、溫度和電線額定電壓波動很弱。
HMC565LC5低噪聲放大器芯片 ADI現貨
2019-02-26 10:52:55 HMC565LC5一款高動態性超范圍圖GaAs PHEMT MMIC低背景燥音放縮器，選用非常符合RoHS標準的的無引腳5x5mm SMT二極管封裝。 HMC565LC5崗位的頻率超范圍圖為6至20 GHz，在整塊崗位頻段內還具有21 dB小無線信號增加收益、2.5 dB背景燥音指數和+20 dBm輸入IP3。
HMC746LC3C高速邏輯和數據路徑管理現貨代理
2019-02-25 11:12:58 HMC746就是種AND / NAND / OR / NOR技能，從而適配可可能達到13 Gbps的數劇無線傳輸效率和可可能達到13 GHz的掛鐘概率。HMC746可能很易于地選配為供應以下的一切形式邏輯技能：AND，NAND，OR和NOR。
HMC903LP3E軍事單片微波集成電路現貨
2019-02-25 11:07:25 HMC903LP3E就是款自偏置砷化鎵（GaAs）單面微波通信智能家居保持線路（MMIC），假晶（pHEMT），低嘈音調大器（LNA），具備著中用拉低IDQ的應用設置偏置保持。它適用16引腳，3 mm×3 mm，LFCSP封裝。
HMC1082LP4E/HMC1082LP4ETR軍事電子戰驅動放大器現貨
2019-02-25 10:48:33 HMC1082LP4E是一種款GaAs pHEMT MMIC驅動器圖像變大器電路，集都是水溫補充片上效率查測器，運轉頻率空間為5.5至18 GHz。該圖像變大器電路在1 dB增益控制值縮減下供給22 dB增益控制值，+ 35 dBm輸出IP3和+24 dBm輸出效率，而+ 5V電源適配器則要求220 mA。
HMC442點對點無線電功率放大器芯片17.5-25.5GHz 代理現貨
2019-02-25 10:38:50 HMC442不是款有效的GaAs PHEMT MMIC中輸出工作功率圖像電阻值變成器，作業平率面積為17.5至25.5 GHz。HMC442在+ 5V主機電源電阻值下作為15 dB增加收益，+ 23 dBm飽和點輸出工作功率和25％PAE。因為圖片尺寸小，圖像電阻值變成器處理器不錯便捷集成式到多處理器控制模塊（MCM）中。
CMPA801B025F高效25W功率放大器6-12 GHz 現貨
2019-02-22 15:56:21 CMPA601C025F GaN HEMT MMIC拖動器給出25瓦的工作電壓，瞬時資源帶寬為6至12 GHz。GaN HEMT MMIC應用耐低溫怎強型10引腳衛浴陶瓷芯片芯片封裝。是一款元件應用50歐姆的小圖片尺寸芯片芯片封裝，可給出高工作電壓6至12 GHz高質量拖動器。
CMPA601C025F高效25W功率放大器現貨
2019-02-22 15:52:54 CMPA601C025F GaN HEMT MMIC縮放器保證25瓦的電機工作電壓，瞬時傳輸速率為6至12 GHz。GaN HEMT MMIC用于耐低溫提高型10引腳工業陶瓷打包打包封裝。這種元器件用于50歐姆的小圖片尺寸打包打包封裝，可保證高電機工作電壓6至12 GHz高效益縮放器。
CGHV14800F高電子遷移率晶體管L波段雷達系統現貨
2019-02-22 15:36:39 Wolfspeed的CGHV14800不是種氮化鎵（GaN）高電子廠轉化率納米線管（HEMT），特定制定主要用于便捷率，高增益值和帶寬寬功用，這因此CGHV14800稱為1.2 - 1.4 GHz L波長預警雷達圖像功率放大器使用的比較好選擇。
CMPA0060002F功率放大器芯片2W 現貨
2019-02-22 15:26:12 Wolfspeed的CMPA0060002F也是種因為氮化鎵（GaN）高自動化轉遷率結晶管（HEMT）的單面微波通信集成系統電路板（MMIC）。與硅或砷化鎵比起來，GaN具有優質的使用性能，具有更加高的的電壓擊穿的電壓，更加高的飽和自動化漂移速度快和更加高的導熱性率。
CGH40006S射頻微波6W高電子遷移率晶體管現貨
2019-02-22 15:13:23 Wolfspeed的CGH40006S有的是款無可挑剔的氮化鎵（GaN）高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉化率晶胞管（HEMT）。CGH40006S通過28伏道路，為幾種徽波射頻和徽波選用給予互通網絡帶寬化解設計方案。
CGHV1J006D高壓氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管現貨
2019-02-22 14:16:56 Wolfspeed的CGHV1J006D一種按照0.25μm柵極長研制的工藝的增碳硅襯底上的直流高壓氮化鎵（GaN）高網上移遷率納米線管（HEMT）。本身GaN-on-SiC新產品兼有出眾的的低頻，效率形態。
CGH35240F氮化鎵240W高電子遷移率晶體管 CREE現貨
2019-02-22 14:02:50 Wolfspeed的CGH35240F也是種氮化鎵（GaN）高光電轉化率尖晶石管（HEMT），也可以設置使用于更高生產率，高收獲和聯通寬帶寬功能模塊，使CGH35240F稱為3.1 - 3.5 GHz，S頻譜的佳選，聲納放小器廣泛應用。
CGHV31500F高增益S波段雷達系統晶體管500W 代理現貨
2019-02-22 13:52:53 Wolfspeed的CGHV31500F也是種氮化鎵（GaN）高網絡遷出率單晶體管（HEMT），正規設定用到高效益率，高增加收益和帶寬寬系統，使CGHV31500F變成2.7 - 3.1 GHz s光波汽車雷達的很理想選購 - 調小器操作。
CGH40010寬帶10W射頻功率GaN HEMT 現貨
2019-02-22 13:48:12 Wolfspeed的CGH40010就是一款無可挑剔的氮化鎵（GaN）高電子無線知識率氯化鈉晶體管（HEMT）。CGH40010利用28伏導軌，為各式各樣微波射頻射頻和微波射頻軟件提拱專用網絡帶寬網克服規劃。GaN HEMT都具有工作效率高率，高增益值和網絡帶寬網寬能力素質，使CGH40010加入平滑和減小調大器集成運放的非常完美決定。
CMPA2560025F高效率S波段雷達系統電子遷移率晶體管現貨
2019-02-22 11:39:53 Wolfspeed的CGHV35400F就是種氮化鎵（GaN）高智能電子挪動率結晶管（HEMT），專為高效、性價比最高率，高收獲和網絡帶寬寬功用而方案，使CGHV35400F將成為2.9 - 3.5 GHz，Sk線的理想型的選擇，雷達探測調大器用。結晶管所采用440210型陶瓷制品/合金蝶閥法蘭二極管封裝。
CGHV35400F氮化鎵400W高電子遷移率晶體管現貨
2019-02-22 11:34:52 Wolfspeed的CGHV35400F一種氮化鎵（GaN）高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉遷率單納米線管（HEMT），專為極有質量率，高收獲和寬帶網絡寬用途而設置，使CGHV35400F變成了2.9 - 3.5 GHz，S波長的自然選購，預警雷達拖動器應運。單納米線管用到440210型陶瓷制品/合金金屬法蘭盤打包封裝。
CGH40035F高電子遷移率晶體管（HEMT）代理現貨
2019-02-22 11:30:11 Wolfspeed的CGH40035F不是款無可取代的氮化鎵（GaN）高光電子滲透率硫化鋅管（HEMT）。CGH40035F利用28伏路軌，為各個頻射和微波射頻使用給出萬能的網絡帶寬解決設計。
CGHV96100F2高功率100W功率放大器 CREE現貨
2019-02-22 10:24:49 Wolfspeed的CGHV96100F2是氫氟酸處理硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷出率多晶體管（HEMT）。與許多工藝比較，在這種GaN外部配對（IM）FET體現了優秀的電機功率增加轉化率。
CGHV96050F2碳化硅高電子遷移率晶體管代理現貨
2019-02-22 10:22:17 Wolfspeed的CGHV96050F2是炭化硅（SiC）的基板上的氮化鎵（GaN）高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉至率晶狀體管（HEMT）。與別技術相信，各種GaN內外部相匹配（IM）FET極具卓越的電機功率擴展速度。
CMD194C3寬帶K波段低噪聲放大器芯片代理現貨
2019-02-22 09:21:37 CMD194C3就是款光纖寬帶Kk線GaAs MMIC低環境噪聲增加器，運用無引腳3x3 mmPVC接觸面貼裝（SMT）二極管封裝。CMD194C3異常適宜于小寸尺和低耗電是要點構思要的電子技術戰和通信系統系統。
MKHS-02L0-400-275-2620直角PCB連接器 Airborn現貨
2019-02-21 15:37:31 MKHS-02L0-400-275-262090°角PCB鏈接器，傳感器化90°角母開關面板分配鏈接器，可在2排分配中進行不同的quadrax和手機信號傳感器組成。
MKHS-02L0-100-175-2810直角表面貼裝PCB連接器現貨
2019-02-21 15:33:56 MKHS-02L0-100-175-2810引擎化公頭直線的表面板對接對接器，限制在2排配資中適用各項quadrax和訊號引擎整合。電源線插頭，2排，穩定引擎：1-10，訊號觸頭：0-50。
RM212-060-102-5500帶安裝耳鍍通孔PCB連接器現貨
2019-02-21 11:28:52 RM212-060-102-5500一國產公頭PCB布置無線聯接器，兩排接點行間距為0.075“。這樣無線聯接器有垂直于布置方向盤，并布置在PCB的電鍍層通孔上。這樣無線聯接器有布置耳，在將無線聯接器確定到電源PCB線路板上。
RM222-060-202-5500帶安裝耳的直插座直鍍通孔PCB連接器現貨
2019-02-21 11:16:01 RM222-060-202-5500一系例母頭PCB組裝連到器，兩排接線柱間隔為0.075“。這么多連到器更具保持豎直組裝目標，并組裝在PCB的電渡通孔上。這么多連到器更具組裝耳，用作將連到器調整到電源pcb線路板上。
MQHT-212-009-161-41ZG高溫電纜連接器現貨
2019-02-21 11:05:09 MQHT-212-009-161-41ZG室溫低壓電力電纜拼接器，許多的室溫薄型公低壓電力電纜拼接器，有2排和3排接線柱，寬度為0.050“。它們的的長寬范疇為9至51接線柱。
MSHT-262-009-433-220S高溫直角鍍通孔（PTH）現貨
2019-02-21 10:58:02 MSHT-262-009-433-220S室溫90°角鍍通孔（PTH），一系類室溫母PCB安轉連到器，有2排和3排觸頭，行間距為0.050“。這一些連到器具備有90°角定位，薄型，并使用的較小的占位面積安轉到PCB的塑膠電鍍通孔。可保證9到57個觸頭的外形尺寸。

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