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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長寬為1.25mm。它是在衛浴淘瓷BI芯片封裝形式類型，啟用超過10千兆赫。BI一系列用到個性化設定的衛浴淘瓷芯片封裝形式類型，包括屈曲（Bi-G）或直（BI）引線的使用的方法。芯片封裝形式類型最下面的法蘭部同一時間有所作為交流電的的接地、微波射頻的的接地和熱路。本分是滿足RoHS規范標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
可以有效散熱管的下面

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機