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GTRB246608FC-V1是CREE的這款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子無線轉入率結晶管（HEMT），專業專注于多標準規范蜂窩狀輸出放縮器操作需求量設計制作。GTRB246608FC-V1有著高效化率和無軸環的熱提升封裝類型。

新產品規格

舉例說明：高電機功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

高幾率（MHz）：2400

收獲（dB）：15.7

封口行業類型：Earless

優點

基本特征脈沖造成的CW功效，2400 MHz，48 V，10μs輸入脈沖頻段，10%占空比，搭配組合工作輸出

P4dB=600 W時的輸出熱效率

P4dB=60%時的轉化率

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