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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高電子器件轉至率結晶管（HEMT）。與硅或砷化鎵相信較，GaN具備著優等的機械性能；帶有較高的損壞場強；達到飽和狀態電子器件移位強度較高；十分較高的傳熱系數性。與Si和GaAs硫化鋅管差距較，CGHV60170D出示較高的耗油率容重和更寬的頻段寬。

車輛金橋銅業跨接線的截面積大小

敘述：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMTIC芯片

最低的頻率（MHz）：0

高規律（MHz）：6000

收獲值（dB）：17

打包封裝種類：Die

共同點

65%典范電功率扣減率

170 W主要表現PSAT

50V把控

高電壓擊穿場強

頻率范圍圖高至6 GHz

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