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WS1A2639-V1-R3K是CREE的一類非對稱性多赫蒂電機功率拖動器電源模塊（PAM），將GaN on SiC系統APP和如今的化的配對和偏置工作電壓網咯一體化在具備條件頂級熱量散發系統的疊層層壓基本的材質材料上。WS1A2639-V1-R3K頻段范疇在2496 MHz至2690 MHz。有時候選用較高50V的供電電阻值；平均導出馬力標準為6至8 W，最高的人值指數減退，金額預失說真的LTE和5G NR參數數據信息，瞬時網絡帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝形式中。

護膚品年紀

描述：38.5dBmGaN on SiC最大功率調大器模塊圖片；2496-2690MHz

比較低平率（MHz）：2496

比較高規律（MHz）：2690

P3dB轉換功率（W）：50

收獲值（dB）：16.5

錯誤率（%）：57

額定的線電壓（V）：48

芯片封裝類目：表明貼裝

封裝形式類型：封裝形式類型分立多晶體管

方法運用：SiC上的GaN

共同點

GaN基SiC的技術用途

從元器件更替作為主料導和更高值子調小器有著柵極偏置電壓電流電源線

集成化化諧波移動終端

無鉛并具備RoHS原則

最新推薦的驅使組裝是WSGPA01

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