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GaN寬帶晶體管50 V，200 W，DC - 2.7 GHz
NPT2024 GaN HEMT有一種中移動寬帶晶胞管，應對整流 - 2.7GHz辦公上使用了改進，所主要包括推挽式安裝。該元器件適配CW，電脈沖和平滑辦公上，轉換最大電功率為相關行業規定朔膠芯片封裝，最大電功率為200 W（53 dBm）。NPT2024無比適合于國防安全溝通，大陸中移動手機無線網電，空航電子器材公共設施，手機無線網基礎知識公共設施，ISM主要包括和VHF / UHF / L / S中波段雷達探測。所主要包括SIGANTIC®工藝設備制作 - 有一種專有的GaN-on-Silicon技術工藝。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT2024	1周	200

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特征
 Si HEMT D模式晶體管上的GaN
 100％射頻測試
 68％的排水效率@ 900 MHz
 22 dB增益@ 900 MHz
 50 V操作
 可調諧DC - 2.7 GHz
 適用于線性和飽和應用
 符合RoHS *標準，兼容260°C回流焊
 標準塑料包裝，帶螺栓法蘭

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：50 V.
PSAT：200瓦
增益：20 dB
測試頻率：0.9 GHz
最大頻率：2,700 MHz
最小頻率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備，通信，網絡，長脈沖雷達以及工業，科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN on Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現出優異的RF性能，