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GTRB226002FC-V1 S中波段高最大功率RF GaN

發布了時間間隔:2024-11-12 17:06:41     觀看:672

GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦(P3dB)的SiC上GaN高電商挪動率晶狀體管(HEMT),采用在多規范標準蜂窩狀最大功率調小器技術水平采用。GTRB226002FC-V1享有高效益化和無軸環的熱怎強裝封樣式。

GTRB226002FC-V1.png

貨品金橋銅業跨接線的截面積大小

講述:SiC HEMT上的高熱效率RF GaN 450 W,48 V,2110-2200 MHz

至少概率(MHz):2110

最大幾率(MHz):2200

P3dB輸出的輸出(W):450

增益控制值(dB):15

吸收率(%):60

癥狀

一般的單脈沖CW穩定性:10μs脈沖發生器寬,10%pwm占空比,2200 MHz,48 V,Doherty工裝夾具熱效率=65%

增益控制值=14dB

P3dB=450W時的輸出精度公率

女模對模型1B級(只能根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

低散熱量

無鉛并達到RoHS標準的

GaN基SiC HEMT新技術

北京市立維創展科技產業有限制裝修公司授權使用經銷處CREE微波射頻集成電路芯片,若是須要購CREE廠品,請點擊率右方人工服務電話聯系人們!!!

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