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GTRB204402FC/1是CREE的是一款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高智能電子轉至率單晶體管（HEMT），始終堅持打造于多條件蜂窩狀馬力圖像電壓放大器高技術APP需要規劃。GTRB204402FC提供優質率和無軸環的熱提高芯片封裝。

物料規模

舉例說明：SiC HEMT上的高功效RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

平均頻繁（MHz）：1930

比較高幾率（MHz）：2020

P3dB輸入輸出工率（W）：350

收獲值（dB）：16.3

質量高率（%）：58

額定電阻值（V）：48

封裝行業類別：Earless

二極管封裝類型：二極管封裝類型分立氯化鈉晶體管

高技術：SiC上的GaN

特性

典例的脈沖發生器CW安全性能，2020 MHz，48 V，10μs激光脈沖高度，10%pwm占空比，樂隊組合效果

P3dB=350W時的效果功效

P3dB時的便捷率=65%

男模特建模1C級（按照其ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并具備RoHS標準的

珠海市市立維創展社會有限機構英文機構授權使用經銷商CREE徽波元器件，要是可以購CREE物料，請彈框一側微信客服連接讓我們！！！