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分享的時間:2024-11-04 16:57:13 觀看:726
PXAE263708NB-V1是CREE的一種400瓦(P3dB)LDMOS FET,采用于2620至2690 MHz頻段的多標準蜂窩狀電功率圖像放大電路技術水平采用。包含了輸人傳輸適用;高增益控制包括具無突緣的熱增加芯片封裝手段。PXAE263708NB-V1采用了獨有的LDMOS工藝流程技術性;PXAE263708NB-V1有好的的熱穩定的性和表現出色的的安全穩定。

物料尺寸
陳述:高工作電壓RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz
低些頻段(MHz):2620
至高規律(MHz):2690
P3dB輸出精度效率(W):400
增加收益(dB):13.5
速度(%):47
額定容量線電壓(V):28
裝封類目:塑膠板材
二極管封裝行式:二極管封裝行式行式分立晶狀體管
技藝:LDMOS
的特征
光纖寬帶內部結構手機輸入工作輸出適應
非對應點性Doherty來設計:主P1dB=140W具代表性值;最低值P1dB=260 W其最典型的值
先進典型的脈沖造成的CW基本特征;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的導出輸出;P3dB=400W時的導出最大功率;工作效率=49%(POUT=57 W平均值);增益值=15 dB(POUT=57 W平均)
能清理32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸出電機功率
ibms化ESD庇護
無鉛并符合RoHS準則
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