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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D格局拖動器，不適用以多標準蜂窩狀電率拖動器的技術使用。GTVA261802FC-V1提供填寫兼容、高轉化率的率和無軸環熱怎強二極管封裝的性能指標。

產品的規格型號

闡明：SiC HEMT上的高熱效率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

低點概率（MHz）：2620

最大程度的速度（MHz）：2690

P3dB打出工作功率（W）：170

增益值值（dB）：16.8

科學規范率（%）：43

特殊電流電壓（V）：48

封裝行業類別：Earless

芯片芯片封裝：芯片芯片封裝分立晶狀體管

技藝：SiC上的GaN

表現形式

?GaN-on-SiC HEMT技術工藝

?讀取適應

?典例的脈沖發生器CW效能，組合式打出，

2690 MHz，48 V，10μs單脈沖橫向，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的傷害電率

-P3dB時的漏不低轉化率=65.5%

-P3dB=15dB時的增加收益值

?是可以結束48 V、180 W（CW）輸送瓦數下10:1的VSWR

?名模模形1A級（選擇ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導電指數

?無鉛并達到RoHS標

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