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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一個種聯通寬帶結晶體管處理芯片，面對DC-3.5 GHz作業進行了改善。該器材可以CW，脈沖激光和非線性作業，輸入輸出電率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150極為主要用在于國防教育流量，大陸聯通遠程網電，航材電子元器件機械設備，遠程網知識基礎裝置，ISM應用領域和VHF / UHF / L / S波長統計。選擇SIGANTIC®的工藝手工制造 - 一款專有的GaN-on-Silicon技術設備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是國內并不是二家適用于微波射頻操作的GaN on Si技巧廠家直銷商。我國在Si RF本職工作利用率晶胞管的產品上打造很廣的聯續波（CW）GaN，充當分立ibms電路芯片和電源模塊，結構設計本職工作在DC至6 GHz。我國的高本職工作利用率CW和線型晶胞管是商用南航微信網絡主設備，光纖通信，微信網絡，長脈沖發生器預警雷達并且行業，有效和醫療設備操作的很好選購。我國的的產品團體巧用了MACOM超過了60年的常用，也許用GaN on Si技巧打造標準規范和開發防止設計方案，以提供大家最刻薄的需要量。我國的GaN on Silicon的產品，采取分立晶胞管和ibms調小器，采取0.5μmHEMT施工工藝，在本職工作利用率，收獲控制，收獲控制白皙度，利用率工作方面表達出優秀的RF性能方面，