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　　Skyworks 的 ATN3580-03 全系列加固衰減器存儲存儲芯片按照高熱敏電阻器率硅存儲存儲芯片上的保護膜熱敏電阻器器技木，供給小于的衰減、高平淡度和多達 40 GHz 的優秀回波衰減性。　　核心區基本特性：　　膠片技術：在高電阻器公率率硅處里芯片上整合膠片電阻器公率器，給出好些的公率處里學習能力。　　穩定 TEE 設計：使用的穩定的 TEE 電容設計加強組織領導聯通寬帶寬耐腐蝕性。　　DC 衰減：那些衰減器IC芯片都制定了交流電(DC)衰減。　　平率使用位置：衰減器的設計需要滿足從 0.1 GHz 到 40 GHz 的平率使用位置內的耐磨性追求。　　技藝產品規格：　　標稱衰減：供應 1–10、12、15、20、30 和 40 dB 的衰減選擇項。　　衰減容差：±0.25 dB。　　衰減白皙度：　　0.1-12 GHz：0.2 dB　　0.1-26.5 GHz：0.4 dB　　0.1-40 GHz：0.6 dB　　回波損耗費：　　0.1-12 GHz：23 dB　　0.1-26.5 GHz：18 dB　　0.1-40 GHz：15 dB　　回波消耗：大于等于 16 dB，直接左右 40 GHz。　　效率整理：更是高達 1 W 的持續波(CW)效率整理技能。　　應該用優勢：　　高頻帶寬度率功效：設置夠滿足獨角獸高達 40 GHz 的頻帶寬度追求，常使用高頻帶寬度應運。　　高回波耗損：確保網絡信號的高正品保證輸送。　　小于衰減：打造小于的衰減值和容差，能夠滿足小于設定移動信號剛度的的需求。　　性價比高性：溥膜硅存儲芯片結構特征牢固性價比高，適合暫時穩定性高啟動。

型號：

		Attenuator Fatness
NominalAttenuation (dB)	DCTolerance (dB)	0.1 to 12 GHz (dB)	0.1 to 26.5 GHz (dB)	0.1 to40 GHz (dB)	Outline Drawing	Part Number
1	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-01
2	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-02
3	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-03
4	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-04
5	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-05
6	±0.25	±02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-06
7	±0.25	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-07
8	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-08
9	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-09
10	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-10
12	±0.50	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-12
15	±0.50	+02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-15
20	±1.10	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-20
30	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-30
40	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-40