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　　CREE CGH35060P2是一款專為高效率設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬帶寬能力，特別適合在3.1至3.5 GHz的S波段進行脈沖放大器應用。它采用了陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝，確保了其在特定應用中的可靠性和穩定性。

　　主要特征：

　　操作使用頻繁 條件：3.3至3.6 GHz　　最高值瓦數性能：60W　　小信號燈增益控制：12 dB　　在8瓦打印輸出時的精度向量頻率(EVM)：< 2.0%　　在8瓦輸送時的排水口速度：25%　　采用：WiMAX特定應用(802.16-2004 OFDM)和WiMAX移動端應用(802.16e OFDMA)

　　技術規格：

　　組件標碼：CGH35060P2　　簡述：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化鎵HEMT　　很小頻繁 ：3100 MHz　　大頻繁：3500 MHz　　最高值打印輸出最大功率：60W　　收獲：12.0 dB　　使用率：60%　　任務電流：28V　　芯片封裝結構類型：分立晶胞管，法蘭片、丸　　技術：GaN-on-SiC(無定形碳硅基氮化鎵)　　CGH35060P2尖晶石管及其優質率和可用做高頻率操作步驟的形態，在無線網絡溝通和雷達探測系統等高能力使用中行為漂亮。其氮化鎵水平提拱了遠高于經典硅基尖晶石管的能力，越來越是在高溫柔髙壓條件下。

長沙市立維創展自動化是CREE的供應商商，獲得CREE微波加熱元器件封裝優勢交貨流通渠道，并常期存量期貨，以備不時之需中國人市面 需求分析。