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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的最主要結構特征收錄：　　- 規律範圍：DC至5GHz　　- 轉換工作電機功率(P3dB)：在2.2GHz頻繁下，轉換工作電機功率會達49W。　　- 曲線增加收益：在2.2GHz頻點下，主要增加收益為22.3dB。　　- 先進典型PAE3dB：在2.2GHz速度下，有效率可高達71.5%。　　- 工作上電流值：48V。　　- 低導熱系數裝封：在高馬力崗位時合理有效風扇散熱，控制元件的比較穩確定和使用時間。　　- 支技間斷波(CW)和脈沖信號業務經營模式　　QPD0030也應該選用于Doherty架構設計方案中，特殊比較合適作為一個大型蜂窩、微蜂窩和有源外置天線操作模式的移動移動信號塔工率變大器的最后一個級，也也應該作為微蜂窩移動移動信號塔工率變大器的驅動程序器。該電子器件用了業內標準的4x3mm表面能貼裝QFN封裝，方便于集合到替換成的微波射頻操作模式設計方案中。

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