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UMS徽波CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

納米線管以裸晶片內容打造，需求外觀適合線路才可多方面激發其發展成長性。那么，又是此類設置共同點塑造了CHK5010-99F多種多樣的工作和大范圍的應該用發展成長性。重點特性例如其非常出色的帶寬耐熱性，幫助高達獨角獸12 GHz的脈沖造成的和間隔波運作。應用于GaN技術應用，該設計構思可完成高輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時完成最適宜耐熱性。雖然，該電子器件具備0.90x0.80x0.1mm的省油的suv長寬比，所有在出現異常的前景中也會快些智能家居控制。代替其睿智的的性能，CHK5010-99F還符合國家RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006條件，確保的安全生產環保性和的安全。這讓用戶的在確定和選擇新產品時舒心，而不不必擔憂對環境的有礙印象。總的來說，CHK5010-99F有的是款需要依賴的高效果GaN晶狀體管，有大量的運用和出眾的基本功能。其可笑需求難往的效果和符合要求產業標準化使其稱得上rf射頻輸出功率運用的穩定可靠采用，為該領域行業確立了新的幾率性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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