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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

不可能，孩子 的努力的收獲造成 無源GaN混頻器構思在錄入三階交調截點（IIP3）與地方自由振蕩器（LO）控制器器的百分比這方面已經超過全部砷化鎵（GaAs）無源混頻器構思 - a口感因素來樣加工MMIC未能成就規則化吸收率。從S股票中波段到K股票中波段（2 GHz到19 GHz），以上復合型無源GaN混頻器體現的IIP3數字8遠多于30 dBm，LO控制器電平約為20 dBm，規則化吸收率多于10 dB。

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