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MSN12AD12-MP應接觸到低討論電阻值電原適配器接口，高電感電原適配器接口或路線圖輸出電感會會作用到MSN12AD12-MP的安穩性能方面。插入電容（低壓電容器等）器須要單獨放置在MSN12AD12-MP的輸進管腳背，以最短化輸進紋波電阻值并有效保障MSN12AD12-MP安全穩定能力。

考慮到能大幅度降低效果紋波并增強學習對階躍裝載發展的的動態響應的，須要在效果端應用30%的電解濾波電容器設計。介紹應用低ESR縮聚物和瓷磚電解電場所來從而提高MSN12AD12-MP的的輸出紋波和動態化反映。

MSN12AD12-MP有叉內外0.6V符合端電壓值，打出端電壓值能能夠 分科電阻功率器RFBH和RFBL開設編程學習，截流電容器可以做到開啟到VOUT管腳、FB管腳和VOSNS管腳。極強想要好幾個內阻器的內阻值在100Ω和3.4kΩ相互間。如果RFBH設為為976歐姆，輸出電壓電流也能如等式1提示估算，具代表性讀取電流的功率電阻如表1下圖

MSN12AD12-MP內外設置成至少軟通電日期（Tss）為1ms。它能經過在TRK管腳和VOSNS管腳左右插入電阻器（Css）來加強。添加圖片電解電場所（Css）值可按照其等式2肯定：（總SS精力=Tss，Tss比較小值=1mS）

MSN12AD12-MP帶來了個模擬訓練插入管腳（TRK），支持于探測別的個供電引擎或傳輸間接借鑒。當間接電阻預警無線連接到TRK時，它用于MSN12AD12-MP工作輸出輸出功率的參看。FB端電壓值有力按照該第三方端電壓值衛星信號，軟再啟動更改被移除。TRK搜索數據才能在0.3V到1.4V的區域中間。在中期初始化期間內，TRK可以最初達到了一次600mV，以維持常見做工作。在這之后，還可以將其修改為0.3V和1.4V相互的一些值。

MSN12AD12-MP滿足額定功率達標率（PG）傷害。PG是MOSFET的開漏。依照上拉熱敏電阻器（普通為10kΩ）將PG接到VCC或另一個大于3.6V的外界電流電壓降源。加入的搜索電流電壓降后，MOSFET導通，以至于在軟啟用注意好開始之前，PG被拉至GND。在FB線的電壓達到了參考選取線的電壓的96%后，PG在0.8ms時間延遲后被拉漲。當FB電阻降落到決定性電阻的80%或限制標稱選取電流電壓的116%時，PG自動隱藏為低。PG只要在新的軟開始后后首被試盤。要是發送電壓輸出模塊沒有辦法為MSN12AD12-MP輸電，則PG被鉗制在低一點，只不過PG基于上拉電容器連結到外部鏈接直流變壓器電。

因此的熱測試方法經濟條件均提供JEDECEIJ/JESD51標準的。所以，測式板長度為80mm×80mm×1.6mm，在0線性網絡調頻狀況下有4層。MSN12AD12-MP規劃選用以在金屬外殼工作溫度不少120°C應該用，不顧輸入功率、輸入/導出電壓電流或的工作高溫何如增加。

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