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HMC219BMS8GE/HMC219BMS8GETR超微型統一雙平穩混頻器 ADI外盤

披露事件:2018-07-05 09:34:31     閱覽:7413

HMC219B是一個款超長安中小型通用的雙動態平衡混頻器,主要包括8引腳超長安中小型pp塑料表貼封口,帶爆露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單集成系統ic紅外光集成系統電路原理板(MMIC)混頻器主要包括砷化鎵(GaAs)鋁合金半導體材料場現象結晶管(MESFET)生產技術打造,不能自己其他配件或切換電路原理板。該配件也可以作幾率范圍內為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流變頻式空調器、下直流變頻式空調器、雙相熬制器或相位較為器。 立維創展HMC219B利用根據優化提升的巴倫成分,具備不錯的本振(LO)至頻射(RF)消毒及LO至中頻(IF)消毒耐腐蝕性。適合RoHS標的HMC219B需線焊,與高存儲量表貼營造技木兼容。MMIC耐腐蝕性穩固可延長系統軟件辦公率并保證 適合HiperLAN、U-NII和ISM政策法規規范。

品牌 型號 描述 貨期 庫存
ADI HMC219BMS8GE
HMC219BMS8GETR
2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器 現貨 98


HMC219BMS8GE操作

  • 微波無線電
  • 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

  • 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

  • 轉換損耗:9 dB(典型值)
  • LO至RF隔離:40 dB(典型值)
  • LO至IF隔離:35 dB(典型值)
  • RF至IF隔離:22 dB(典型值)
  • 輸入IP3:18 dBm(典型值)
  • 輸入P1dB:11 dBm(典型值)
  • 輸入IP2:55 dBm(典型值)
  • 無源雙平衡拓撲結構
  • 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖

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