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HMC457QS16G(E)是款高gif動態條件GaAs InGaP異質結雙正負晶狀體管(HBT)、1瓦特MMIC所在縮放器，在1.7至2.2 GHz的平率下操作。 該縮放器按照小形16引腳QSOP塑料管打包封裝，其增益操作在1.7至2.0 GHz平率下大部分為27 dB，在2.0至2.2 GHz平率下大部分為25 dB。 它僅使用的極小值次數的第三方電氣元件，其所在IP3就能夠優化作+45 dBm。 就能夠靈活運用所在操作(Vpd)推動全部掉電或RF所在所在/電壓操作。 高所在IP3和PAE隨著HMC457QS16G(E)形成適蜂窩/3G基站設備和中繼器應用的理想的所在縮放器。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC457QS16GE HMC457QS16GETR	1瓦特功率放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.2 GHz	現貨	257

HMC457QS16G應用

• CDMA和W-CDMA
• GSM、GPRS和Edge

• 基站和中繼器

HMC457QS16G優勢和特點

• 輸出IP3： +46 dBm
• 增益： 27 dB （1900 MHz時）
  PAE為48%（Pout為+32 dBm時）
• +25 dBm的W-CDMA通道功率（ACPR為-50 dBc時）
• 集成功率控制(Vpd)
• QSOP16G SMT封裝： 29.4 mm2
• 包含在HMC-DK002設計人員套件中

HMC457QS16G結構圖