欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区

HMC1144是款砷化鎵(GaAs)、假晶高光電搬遷率(pHEMT)、單IC電子器件微波射頻集成系統系統三極管(MMIC)地理分布式架構的打出工作熱效率變大器，工作任務概率條件圖為40 GHz至70 GHz。 在40 GHz至50 GHz的低頻段條件圖內，HMC1144供應19 dB增加收益值值值（舉例值）、28 dBm的打出IP3及19.5 dBm的打出的打出工作熱效率（1 dB增加收益值值值減小）。 在50 GHz至70 GHz的低頻段條件圖內，HMC1144供應19 dB增加收益值值值（舉例值）、32 dBm的打出IP3及21 dBm的打出的打出工作熱效率（1 dB增加收益值值值減小）。 HMC1144主要采用4 V電源開關變電，顯卡功耗為320 mA。 HMC1144變大器插入/的打出內外配備50 ?，可簡單方便地集成系統系統恰有IC電子器件摸塊(MCM)。 其它數據文件均由確認較短0.076 mm (3 mil)的三條0.025 mm (1 mil)線焊相連的IC電子器件取得。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC1144	35 GHz至70 GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、中等功率放大器	現貨	68

HMC1144使用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍事與太空
• 電信基礎設施
• 光纖產品

HMC1144結構和特點

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率： 21 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)： 22 dBm（典型值）
• 增益： 19 dB（典型值）
• 輸出三階交調截點(IP3)： 28 dBm（典型值）
• 電源電壓： 4 V (320 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.3 mm × 1.8 mm × 0.102 mm

HMC1144結構圖