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900 V分立氫氟酸處理硅MOSFET CREE

正式發布準確(que)時間:2024-12-17 11:21:28     看(kan):672

CREE擴張了(le)其在氧(yang)化硅(SiC)技(ji)術應(ying)用(yong)(yong)(yong)中的(de)主導作用(yong)(yong)(yong)社(she)會(hui)地位,低(di)電(dian)感分立(li)芯片封(feng)裝具有寬沿(yan)面和漏極(ji)與源極(ji)兩(liang)(liang)者(zhe)的(de)空隔距(ju)里(~8mm)。900 V分立(li)氧(yang)化硅MOSFET機靈(ling)運作最(zui)新的(de)的(de)MOSFETIC芯片中頻功效,然后提供了(le)采用(yong)(yong)(yong)于(yu)高(gao)影響情況的(de)超(chao)量電(dian)消毒。自(zi)主的(de)開(kai)爾文(wen)源管腳減(jian)(jian)低(di)了(le)耗(hao)油率電(dian)感;而使旋(xuan)(xuan)鈕(niu)耗(hao)損(sun)率減(jian)(jian)低(di)了(le)30%。開(kai)發師(shi)應(ying)該有效利用(yong)(yong)(yong)從硅基(ji)旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)硅基(ji)來降低(di)電(dian)子器(qi)件(jian)總(zong)量;能(neng)夠 添加打開(kai)效果,應(ying)該能(neng)夠 三電(dian)平拓(tuo)補轉(zhuan)化成更(geng)高(gao)些效的(de)兩(liang)(liang)電(dian)平拓(tuo)補。

有特點

在整體(ti)性上班體(ti)溫(wen)范圍之內(nei)內(nei),最便宜電(dian)流值是900V Vbr

帶帶動源(yuan)的低阻抗匹配二極管封裝

高(gao)中醫電(dian)壓(ya)電(dian)流(liu),低RDS(已(yi)經打響)

低反相(xiang)回到(dao)(Qrr)的(de)提高效(xiao)率本征電子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)大家庭中的(de)一員-二極管

有有助(zhu)于并接(jie),選擇簡(jian)單化(hua)

MOSFET.png

優越

能夠(gou)增(zeng)多電開(kai)關和傳達著損耗率提(ti)升(sheng)自己平臺熱(re)效(xiao)率

保證高打開的頻(pin)率控制(zhi)

從(cong)而提高裝置(zhi)級工(gong)作功率容重

消減模式范圍;凈重量;和制冷(leng)需要

重(zhong)啟新的硬(ying)控(kong)制開關(guan)拓撲關(guan)系(Totem Pole PFC)

典范應用

變頻電動機掌控整體

新再生(sheng)能源充(chong)電站樁系統(tong)性

救急電原(UPS)

電池箱測試方法整體

新(xin)發熱能源電動伸(shen)縮車快速充電樁程序

車(che)載影(ying)音(yin)電動車(che)沖電器開關

傳送液壓傳動裝置

焊接加工藝

成都市(shi)立維創展現代科(ke)技有限制(zhi)公(gong)司品牌(pai)授權(quan)經售CREE微波射頻功率(lv)器(qi)件,若(ruo)是必須(xu)要購(gou)CREE軟件,請雙擊左面(mian)在(zai)線客服(fu)找(zhao)我國!!!

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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