欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区

CREE的1700 V增碳硅（SiC）MOSFET并能控制相比較較較小、便捷率的工作電壓變換設計。與硅基解決途徑相比較較，CREE無定形碳硅枝術還可以的提升系統的工率孔隙率、較高的業務幀率、較小的組成設定、更冷門的的功能引擎、較小的功能引擎產品規格（電傳感器、電器皿器、濾波器和電壓器）和整體的利潤生產率。

表現形式

12-15V柵極(ji)動力(li)電壓值

支持于反(fan)激式app時的0V啟(qi)用的電壓(ya)

低電容器運(yun)行速度度旋轉開(kai)關

漏極(ji)和(he)源極(ji)兩者(zhe)之(zhi)間的寬電流(liu)擊穿(chuan)電流(liu)和(he)裂縫

主要優勢

較高的程序高效率和公率高密(mi)度

可以提供無數個12-48V機 ，大大減少安(an)真小編要(yao)求

較高的運作幾率

先進典型app

電源適配器轉化

轉換開關電

外接電源直流電源

利用1500V的整體(ti)

髙壓DC/DC變為器

主軸電機管理器

激光脈沖熱效率用

西安市(shi)立維創展科技產業不多公(gong)司的授(shou)權許可經售(shou)CREE微波(bo)加(jia)熱配件，若是(shi)須(xu)得購(gou)CREE新產品，請鼠(shu)標單(dan)擊一(yi)側人工服(fu)務練習他們！！！