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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高手機轉化率結晶管（HEMT）。與硅或砷化鎵好于較，GaN有著比較好的特性；帶有較高的擊穿電壓場強；飽和點電子器材偏位高速度較高；試述較高的對流傳熱性。與Si和GaAs結晶體管相對比較，CGHV60170D能提供較高的額定功率孔隙率和更寬的頻寬長寬比。

廠品規格參數

結(jie)合：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT集成ic

最便宜頻(pin)繁(fan)（MHz）：0

最高的(de)率（MHz）：6000

增益值值（dB）：17

封口門類：Die

癥狀

65%常見(jian)工(gong)作功(gong)率(lv)增添速率(lv)

170 W典型案例(li)PSAT

50V操作

高電壓擊穿場強

頻(pin)繁 條件(jian)高至6 GHz

上(shang)海(hai)市立維創展科學(xue)授權許可(ke)代理(li)商(shang)MACOM設備線(xian)，常見(jian)制造MACOM的可(ke)調收(shou)獲增(zeng)加(jia)器(qi)，工作效率(lv)增(zeng)加(jia)器(qi)，低躁音增(zeng)加(jia)器(qi)，線(xian)形增(zeng)加(jia)器(qi)，混(hun)合著增(zeng)加(jia)器(qi)，FTTx調小(xiao)器(qi)，地理(li)分(fen)散式調小(xiao)器(qi)，調小(xiao)器(qi)增(zeng)益控(kong)制模塊(kuai)圖片，有源分(fen)開器(qi)，功(gong)分(fen)器(qi)，倍頻(pin)器(qi)，混(hun)合物式混(hun)頻(pin)器(qi)，混(hun)頻(pin)器(qi)，上(shang)變頻(pin)式器(qi)，字母(mu)衰減(jian)器(qi)，字母(mu)移相器(qi)，電功(gong)率(lv)考驗器(qi)，壓控(kong)衰減(jian)器(qi)等很多半導體(ti)技術。如需買到MACOM商(shang)品(pin)，請點開右下網上(shang)客(ke)服咨(zi)詢公(gong)司(si)！！！