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GTRA184602FC是款460瓦（P3dB）GaN-on-SiC HEMT D機制放小器，努力于多規定蜂窩狀功效放小器的技術APP的需求方案。其必備復制粘貼配比、高質量率和無軸環熱強化芯片封裝的功能。

食品規格尺寸

講述：高工作(zuo)功率RF GaN SiC HEMT，460 W，48 V，1805-1880 MHz

較高頻繁 （MHz）：1880

增益控制值（dB）：15.5

裝封種類：Earless

本質特征

設置配對

不好稱多爾蒂構思

主：P3dB=170 W標稱值(zhi)

上限(xian)值：P3dB=350W標稱(cheng)值

典型的(de)脈沖發(fa)生器CW性能(neng)方面：16μs單(dan)脈沖頻繁；10%占空比；2140MHz；48v；多爾蒂車床夾(jia)具

增益值(zhi)值(zhi)=15dB@49dBm

使用(yong)率=60%@49 dBm

P3dB=490W時的打印輸出瓦數

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