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WS1A2639-V1-R3K是CREE的四款非中心對稱多赫蒂輸出功率變大器輸出模塊（PAM），將GaN on SiC能力廣泛應用和現在化的識別和偏置電流電壓無線網絡集合在應有高端大氣散熱機系統的很多層層壓基面材料上。WS1A2639-V1-R3K的頻率位置在2496 MHz至2690 MHz。還有動用更高50V的供電的電壓；平均值導出效率標為6至8 W，更高值系數走低，金額預失真的是LTE和5G NR數據顯示移動信號，瞬時傳輸速率高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝形式中。

類產品尺寸規格

表述：38.5dBmGaN on SiC電率調大器模組；2496-2690MHz

更低頻繁（MHz）：2496

非常高(gao)規律(lv)（MHz）：2690

P3dB傷害(hai)工作(zuo)功(gong)率（W）：50

增益值值（dB）：16.5

高效率（%）：57

穩定工(gong)作(zuo)電壓（V）：48

打包封裝種類(lei)：外壁貼裝

裝封：裝封分立多(duo)晶體管

技術操(cao)作(zuo)操(cao)作(zuo)：SiC上的(de)GaN

顯著特點

GaN基SiC新技術app

從電(dian)子器件(jian)更替為中心導和比較(jiao)高(gao)值子拖動器具(ju)備條(tiao)件(jian)柵極偏置(zhi)的(de)電(dian)壓(ya)電(dian)源線

ibms化諧波消費終端(duan)

無鉛并足夠RoHS規范

選擇的(de)驅動裝置(zhi)裝置(zhi)是WSGPA01

廣州 市立維創(chuang)展科學(xue)受限品(pin)牌(pai)管理權限供應商(shang)CREE紅(hong)外光電(dian)子器件(jian)，倘若可(ke)以購CREE設備，請打開網頁(ye)右(you)邊客戶建(jian)立咨詢我(wo)們的(de)！！！