欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区

GTRB226002FC-V1是(shi)CREE是(shi)款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子技(ji)術搬遷率(lv)單晶體管（HEMT），科技(ji)用途在多標淮蜂窩(wo)狀耗(hao)油率(lv)擴大器科技(ji)科技(ji)用途。GTRB226002FC-V1要具備高質量化和無軸(zhou)環的熱激(ji)發(fa)封裝結構(gou)。

廠品的規格

闡(chan)明：SiC HEMT上的高電機(ji)功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

評均聲音頻(pin)率（MHz）：2110

最高的平率（MHz）：2200

P3dB傷(shang)害工作效率（W）：450

收獲值（dB）：15

學習效率（%）：60

的特點

典(dian)型案(an)例的脈沖(chong)造成的CW能：10μs脈寬凈寬，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty工(gong)裝夾(jia)具速率=65%

增益值值=14dB

P3dB=450W時(shi)的傷(shang)害額(e)定功率

男模(mo)特3d模(mo)型1B級(ji)（通過ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低導熱系數

無鉛并提供RoHS標淮

GaN基SiC HEMT新技術

山東市(shi)立維創(chuang)展科學技術有限責任我(wo)司代(dai)理(li)權銷售CREE徽(hui)波(bo)元器(qi)，要是需用購CREE成品，請打(da)開右邊qq客服(fu)找話題各位！！！