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GTRB204402FC/1是CREE的的一款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子設備轉移率結晶管（HEMT），傾力于多規范標準蜂窩狀電功率變小器高技術應該用需求分析制定。GTRB204402FC符合的效率率和無軸環的熱提升打包封裝。

貨品樣式

敘述：SiC HEMT上的(de)高工(gong)作電壓RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最(zui)少幀率（MHz）：1930

較(jiao)高速度（MHz）：2020

P3dB所在(zai)工作電壓（W）：350

收獲值（dB）：16.3

高(gao)利用(yong)率(lv)率(lv)（%）：58

額定電流（V）：48

封裝類型(xing)品類：Earless

打包封(feng)口(kou)：打包封(feng)口(kou)分立(li)結晶(jing)管

技術設備：SiC上的GaN

顯著特點

主要的(de)脈沖(chong)信號CW性(xing)能(neng)指標，2020 MHz，48 V，10μs單脈沖(chong)凈寬(kuan)，10%pwm占空比，搭配輸送

P3dB=350W時(shi)的打出功(gong)效

P3dB時的高質量率=65%

中國女模對模型1C級(ji)（給(gei)出ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并充分(fen)滿足RoHS要求

東(dong)莞市立(li)維創展科技信息(xi)是(shi)有限(xian)的總部(bu)授權使(shi)用經(jing)銷(xiao)商CREE微波(bo)射(she)頻電(dian)子器(qi)件，要是(shi)必須(xu)購CREE的產品(pin)，請選擇右測(ce)克(ke)服鏈接(jie)小編！！！